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乐山无线电股份有限公司(简称LRC)位于中国西部大开发中心地带的历史文化名城——四川乐山,创建于1971年,是以芯片设计、半导体器件制造与销售的大型电子企业。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BZX84C3V6LT1 | BZX84C3V6LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C3V0LT1 | BZX84C3V0LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C39LT1 | BZX84C39LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C30LT1 | BZX84C30LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C27LT1 | BZX84C27LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C20LT1 | BZX84C20LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C12LT1 | BZX84C12LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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LBZT52B4V3T1G |
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LESDA6V1LLT1G |
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LMBZ5259BLT1G |
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LBZT52B3V0T1G |
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LBZT52B9V1T1G |
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LMBZ5258BLT1G |
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LBZT52B27T1G |
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LBZX84B7V5LT1G |
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LRC099-04BT1G |
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LBZT52B3V6T1G |
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LMBZ5236BLT1G |
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R2000F | R2000F - HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES - Leshan Radio Company |
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LMBR120ET1G |
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S-LMBT4403LT1G | - |
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S-LPB8630DT0AG | - |
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S-LMBT4401LT1G | - |
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S-LN2604DT2AG | - |
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S-1.5SMC30CA | - |
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S-LMBR0530T1G | - |
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S-LMBR160FT1G | - |
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LBSS5350SY3T1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A; |
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LNA2306LT1G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,5.8A; |
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LBC817-25DPMT1G | 集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA; |
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