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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
对于工程师来说,浪涌保护不仅仅是选择合适的电源板或者拔下几根电缆,主要涉及在 PCB 布局中放置瞬态保护组件并应用明确的
慕尼黑上海电子展(electronica China)将于2024年7月8-10日在上海新国际博览中心举办,展示领域紧跟
MDD辰达半导体荣获半导体市场创新企业奖、创新产品奖两项大奖
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2024年5月29日,由深圳市电子商会,中小企业公共服务平台主办的2024电子信息产业新质生产力交流大会暨第七届“蓝点奖
半导体分立器件厂商MDD辰达半导体在第八届“深圳(湾区)国际品牌周上获双项“知名品牌”
近日,以“探索品牌无限未来”为主题的第八届“深圳(湾区)国际品牌周暨2024年中国品牌日·深圳地方特色活动”在深圳广电大
MDD辰达半导体荣获“2023年度华强电子网优秀国产品牌企业”称号
近日,MDD辰达半导体以其卓越的品质、出色的服务和持续的创新精神,荣获了华强网 2023 年度优秀品牌企业的殊荣。
随着社会生活水平的不断提高,越来越多的人开始重新定义品质生活。在智能科技迅速发展的今天,选择高科技智能机器人来协助家务已
2023年10月30日至11月1日,MDD辰达半导体作为半导体功率器件一线品牌,携全新产品亮相深圳慕尼黑华南电子展(el
根据Omdia的数据,2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元,在新能源汽车,工业控制、5G通讯等市场需求的
深圳辰达行电子有限公司成立于2008年,公司总部位于广东深圳,是一家专业研发生产半导体分立器件的国家高新技术企业。
公司通过不断努力,高品质的“MDD”品牌得到广大客户的信赖与支持,公司投资建设封装厂,工厂占地24亩,建筑面积15000平方,现有员工300余人,年产销二极管、整流桥总量约70亿只。
工厂引进全套国外先进设备和科学管理体系,拥有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多种封装形式的二极管/整流桥生产线;品种规格齐全,有普通整流、快速恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、以及双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等各种系列的二极管/整流桥。
公司通过了ISO9001:2008质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证,产品通过美国UL认证,并符合欧盟RoHS、REACH环保要求,可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务,并可以提供满足客户需求的无卤素产品。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控类、汽车电子、新能源等领域并远销欧美及东南亚地区,在客户中享有良好的口碑。
展望未来,辰达行将常怀感恩的心,竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。力争为中国半导体事业做出奉献!
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TVS和ESD都是利用二极管反向击穿特性的原理制成的电压保护型器件。TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态抑制二极...
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静电是如何产生的 任何两个不同材质的物体接触后再分离,即可产生静电,而产生静电的普遍方法,就是摩擦生电。材料的绝缘性越好,越容易产生静电。因为空气也是由...
普通二极管的PN结多采用面接触型,即P型半导体和N型半导体间的接触面积大,具有耐压高、平均电流大、恢复时间长(几百纳秒到几毫秒)等显著特点。
截止状态近似开关关断,饱和状态近似于开关打开,因此三极管工作在这两种状态时,多应用于数字电路中的电子开关;放大状态多应用于模拟电路中的电流放大。
MDD辰达半导体荣获蓝点奖“最具投资价值奖”和“杰出贡献奖”
日前,由深圳市电子商会,中小企业公共服务平台主办的“第六届蓝点奖颁奖盛典暨深圳市电子商会成立二十周年庆典”在深圳坪山燕子湖国际会展中心成功举行。 第六届...
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MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,当VGS电压达到M...
ESD0506PHL采用DFN4120-10L表面贴片封装外形,外形尺寸仅为4.1*2.0*0.5mm;符合RoHS、HF和REACH标准。这种小巧纤薄...
功率半导体器件在工业、消费、军事等领域都有着广泛应用,具有很高的战略地位。功率半导体产品可以分为功率器件、电源管理 IC 和功率模组三大类。 图:功率半...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
---|---|---|---|
MDD15N10D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
获取价格
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DFR1J F1J | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):250ns; |
获取价格
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DSR0.3K S03K | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.1V@300mA; |
获取价格
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SOD1H8 U8 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向恢复时间(trr):75ns; |
获取价格
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BZT52C7V5-WC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):7.5V;稳压值(范围):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
获取价格
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