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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:28个 浏览:546次 帖子:1个
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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MDD15N10D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
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DFR1J F1J | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):250ns; |
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DSR0.3K S03K | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.1V@300mA; |
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SOD1H8 U8 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向恢复时间(trr):75ns; |
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BZT52C7V5-WC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):7.5V;稳压值(范围):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
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BZT52C4V3-W6 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.3V;稳压值(范围):4V~4.6V;精度:-;功率:500mW; |
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BZT52C9V1-WE | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.5V~9.6V;精度:-;功率:500mW; |
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MM1W91 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):91V;稳压值(范围):86V~96V;精度:±5%;功率:1W; |
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ESD5Z7V0 | TVS DIODE 7VWM 13.5VC SOD523 |
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1N4148W T4 | SWITCHING SOD-123, 100V |
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ES2GB | DIODE GEN PURP 400V 2A SMB |
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1N4007G L | GENERAL DIODE 1KV 1A DO-41 |
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ESD0301BL | 夹子 1A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DFN1006 |
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6A10-T/B | General e Diode R6 1KV 6A |
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AO3402 |
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SM8S33CA | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=33V VBR(Min)=36.7V VC=53.3V@IPP=124A |
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BZT52C2V2-WZ | 稳压二极管 Vz=2.2V 2.08V~2.33V Izt=5mA P=500mW SOD123 |
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BZT52C7V5S-WC | 稳压二极管 Vz=7.5V 7V~7.9V Izt=5mA P=200mW SOD323 |
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BC848C | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23 |
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SMBJ12CA-T3 | ESD抑制器/TVS二极管 SMB 双向 VRWM=12V IPP=30.2A |
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SS36 | 肖特基二极管 VR=60V IF=3A VF=0.70V IR=500uA |
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MDD2310 | MOSFETs SOT23-3 Vdss=60V Vgs=±20V Id=3A Pd=350mW |
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MDD3400 | MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23 |
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SS510 | 肖特基二极管 电压:100V 电流:5A SMA(DO-214AC) |
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SF58G | 快/超快恢复二极管 VR=600V IF=5A VF=1.7V IR=10uA trr=35nS |
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MBRF10200TCT | 肖特基二极管 200V 10A 880mA@5A ITO-220AB |
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MDD2305 | VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):37mΩ@-4.5V 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
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KBJ1510 | 桥式整流器/整流桥 VRM=600V,IO=15A,IFSM=240A,VF=1.0V,IR=10uA |
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ES2J | 快/超快恢复二极管 电压:600V 电流:2A SMA(DO-214AC) |
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1SMA4737A | PD=1.0W,IF=10A,VZ=7.5V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制 |
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