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mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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手机充电器芯片扮演着重要的角色，且越来越智能。一颗品质上佳的充电器芯片，可以延长电池寿命，保护被充电系统不受损害。
mos管焊接的方法步骤如下： 1、焊接前，认清mos场效应管的三个引脚，电烙铁的外表要可靠的接地。 2、先用烙铁固定G.S极，然后从...
纯半导体的导电性能很差，但是可以通过加入一些特殊的杂质增强其导电能力。N型MOSFET会引入额外可移动的负电荷（电子），此时为N型（N沟道）参杂，在N型...
根据MOS管，三极管的性质可知，通过对它们工作电压的改变可以使它们分别用来放大信号，用来做开关，而MOS管，三极管同时也有大功率和小功率的各种类型管子，...
逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管...
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧...
在MOS管的等效电路中栅-漏电容Cgd等效到输入回路中的容值是多少？
接着，我们画出其交流通路。注意，这里我们使用的不是MOS管的低频小信号模型，而是高频小信号模型。
场效应管栅极的最小宽度(栅长)，就是XX nm工艺中的数值。栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。
很多人不清楚，不少CBB电容之所以容易损坏，很大概率是温度过高导致的，虽然CBB薄膜电容稳定性远好于电解电容，但它也照样害怕高温，CBB薄膜电容耐高温吗？
如下图所示，左边为NMOS，右边为PMOS，由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将...
利用的都是MOS管的米勒平台效应，分为NMOS和PMOS两种，一般的NMOS用在接地端，PMOS用在电源的正端，这是由与他们的开启电压不同造成的，以...
和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高...
大家都知道三极管是电流控制型元件，三极管工作在放大状态下存在Ic=βIb的关系，怎么理解三极管的放大模型呢?这儿我们抛开三极管内部空穴和电子的运动，还是...
三极管属于电流型驱动元器件，因此一般在基极都会串一个限流电阻，一般小于等于10K，但是在基极为什么会下拉一个电阻呢？举例说明。如下图，是温度开关控制马达电路图。
上篇文章聊了MOS管-传输特性曲线的细微之处，希望同学们能精准识别三种特性曲线的区别，而不是死记硬背。研究MOS管，一定绕不开一个重要现象——Mille...
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