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标签 > mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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首先,沉积四乙基原硅酸盐氧化物(即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物,简称TEOS-ox)和氮化硅的复合层,并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体...
搭建H桥驱动电路一般都包括两个部分:半桥/全桥驱动芯片和MOS管。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。
友恩充电器芯片U6101选型参考5V-12A~1A、12V-5A~1A,外推MOS,可兼容多种启动供电模式。
在高压下,PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极,并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线,栅极电压过高击穿MOS管。
上周讨论了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎样的关系?,这个属于比较细节的问题,在面试中基本不会遇到,但是今天讨论的这个问题还是很有可能碰到的。
“电路防反接,你真的会用了吗?MOS管用作防反接的接法,理解了吗?”,做过电子产品设计的工程师,都会在电源部分加入防反接电路,主要目的就是怕电源的GND...
VDS(Drain-source voltage):漏源电压标称值,反应的是漏源极能承受的最大的电压值;
因为NPN型的三极管在共发射极电路中使用时,其C极要求接的是电源的正端,E极要求接的是电源的负端,B极要求在正向偏压时管子才工作,所以在PC电源中,开关...
在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区?”这个问题,并得出Rdson对应的是可变电阻区的结论。在讨论的过程中,提到了Vgs对MOS管...
在设计mos管开关电路时,就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有详细地讲解mos管的工作原理。
按下K,电源通过4007为整个系统供电,AVR开始工作。此时PB1为高电平。注意,电源来源是连接器旁边的+5V。
MOS管因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。
为了保护电路板上的其他组件,在将mos管连接到电路之前对其测试至关重要。mos管主要有三个引脚:漏极、源极和栅极。
让我们来看看MOS管,分辨一下他们怎么区别,怎么用吧。而且,我们不谈原理,只谈应用。我们分“电路符号”和“实物”两部分来看。
在这之前,为了让所有兄弟都能跟上节奏,那必须先得搞清楚这个串联的电阻是干什么用的。
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