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标签 > mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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关于MOS管的文章,例如MOS管的参数解析等,网上很多,这里就不写了,我们还是针对具体问题具体分析。在问题求证过程中,查漏补缺。
之前介绍过H桥电机驱动电路的基本原理,但是以集成的电机驱动芯片为示例。这些集成的芯片使用起来比较简单,但是只能适用于一些小电流电机,对于大电流的电机(比...
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
2022-12-22 标签:MOS管 1111 0
三极管和MOS管都是很常用的电子元器件,两者都可以作为电子开关管使用,而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时,有很多相似之处,...
IGBT——绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顾名思义,是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 ...
MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小的电荷可以储存很长时间。
mos管的工作区域 从之前的文章中可以知道,mos管有三个工作区域: 截止区域 线性(欧姆)区域 饱和区域 当 VGS VTH时,mos管工作在截止区域...
上一篇推文中我们已经说了,驱动继电器的时候,通常我们会采用三极管来配合单片机IO口。至于为什么不直接用单片机IO口驱动,非得加个三极管,在上一篇推文中我...
元器件深入开发指南 | 阻容、电感、二极管与MOS管(文末领资料)
成长计划 元器件深入开发指南 工程师成长计划第十八期, 硬声UP主:硬件工程师炼成之路 ,从工程师实战的角度,深入电阻、电容、电感、二极管与MOS管的特...
mos管因为内阻低,开发速度低被广泛应用于开关电路中。mos管往往根据电源IC和mos管的参数选择合适的驱动电路。
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