mos管

输入电源的防反接保护电路设计

在硬件设计中，关于电路保护的部分是保证系统可靠性的重要一环，电路保护的设计具体也包括很多方面，比如：防反设计，过流保护，过压保护，欠压保护，过热保护等，...

2022-08-25 标签：电源二极管保护电路 2025 0

MOS管的开通过程

如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。

2022-08-25 标签：MOS管米勒电容 7891 0

MOS管该如何抉择

MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？

2022-08-25 标签：元器件MOS管电压 1733 0

MOS管损坏的五种原因

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V（BR）DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

2022-08-23 标签：电流MOSFETMOS管 3373 0

米勒效应是什么？MOS管能避免米勒效应吗？

从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于...

2022-08-22 标签：MOS管电容充电输出电容 3881 0

一文读懂IGBT

在我们实际的应用当中最流行和最常见的电子器件就是常见的双极结晶体管BJT和MOS管。虽然BJT和MOS管是最流行最常见的元器件，但是在一些相对较高电流的...

2022-08-22 标签：MOS管IGBT晶体管 1.4万 0

MOS管缓启动电路的RC参数

从上图可以看出冲击电流很大，达23.0A，远大于满载工作电流（1A左右），板上电源设计指南要求是满载工作电流的3～5倍，所以需要整改以达到板上电源要求，...

2022-08-18 标签：电路MOS管浪涌电流 7160 0

功率Mos管损坏主要原因

过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的...

2022-08-17 标签：CMOSMOS管控制器电路 1389 0

3.7v升压5v电路图分享

NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...

2022-08-15 标签：电路图MOS管升压转换器 6782 0

OC门和OD门的主要区别

OC门，又称集电极开路(漏极开路)与非门门电路，Open Collector(Open Drain)。

2022-08-12 标签：MOS管三态门OC门 1.5万 0

关于MOS管的详细讲解

1、三个极怎么判定？2、他们是N沟道还 是P沟道？3、寄生二极管的方向如何判定？

2022-08-10 标签：MOS管寄生二极管 1541 0

MOS管知识全面解析

每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源...

2022-08-09 标签：半导体MOS管电极 3647 0