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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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这几个在LED驱动电路中会常犯的错误一定要避免!双层电容LED电路解析
耐压600V的MOSFET比较便宜,很多认为LED灯具的输入电压一般是220V,所以耐压600V足够了,但是很多时候电路电压会到340V,在有的时候,6...
基于IGBT的固态脉冲调制器设计与实现,使用电阻控制IGBT开关的方法剖析
R2C2称为反肩峰电路。当仿真线向不匹配的负载放电会在脉冲的前沿引起显著的肩峰。R2C2电路就是为了减小这种肩峰的,其电阻通常选择和负载阻抗相等,而电容...
IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计
多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流...
通用测试仪器大全之电子负载仪(特性,工作原理,使用方法,应用范围)
以增强AVRRISC结构的ATmega16控制器为核心,设计并制作了直流电子负载仪。系统通过斜波发生器产生的锯齿波和电流采样信号与控制信号的误差信号作比...
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容...
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高...
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管...
近年来各种电子产品向小型化和微型化发展,并以大爆炸的形式进入人们的生活。其中供电电源的体积及重量占了整个产品的一大部分,电源变压器、电源控制IC、MOS...
本文着重介绍了电源中保护电路设计过程,利用场效应管的导通电阻作为检测电阻,监视它的电压降,当电压降超过设定值时就停止放电。在一般的情况下,电路中一般还加...
通常所说的电流检测是用来检测某部件、或者导线通过的电流,一般用互感器、分流器等将电流信号转化成电压信号,然后再对其进行处理放大,作为后面电路保护、检测使用。
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。
我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别 工作性质,MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
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