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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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三相逆变桥电路、原理、导通及相关问题

三相逆变电路 2.导通原理如上图所示，为一相的逆变桥。上下MOS管不能同时导通，那么可以有几种控制方式： PWM控制上管，下管电平控制（恒高或者横低）...

2024-11-19 标签：电路设计 PWM MOS 516 0

平衡车哭诉：MOS 管没选好，我的心里不平衡！

一、行业背景随着环保意识的不断提高和城市交通拥堵问题的日益严重，电动平衡车以其小巧灵活、绿色环保等特点，成为了人们出行的新选择。一方面，电动平衡车市场呈...

2024-11-15 标签：MOS 平衡车电动平衡车 153 0

MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后，MOS管为什么会炸管？原因分析

MOSFET炸管也有三大原因，电压，电流，温度，比如MOSFET漏源极两端的电压超过了最大极限值，或者MOSFET的漏源极电流超过了最大极限值，或者MO...

2024-11-15 标签：MOSFET 电容电路设计 1226 1

MOSFET电路栅源极GS之间为什么需要并联一个电容？居然能解决MOS误导通的问题？

Part 01 前言在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的变化率，即漏极和源极之间电压随时间的变化速度。一般...

2024-11-12 标签：MOSFET 电容 MOS 1635 0

异步内置MOS升压恒压芯片FP6291，最高输出5-12V/5-7W，输入限流可调

芯片概述FP6291是一个电流模式升压DC-DC转换器。FP6291它的PWM电路内置0.2Ω功率MOSFET使该调节器高效。内部补偿网络还可以最小化多...

2024-11-09 标签：芯片转换器 MOS 136 0

MOS管在储能变流器上的应用

1、储能交流器(PCS)储能变流器(PCS)的定义储能变流器，又称双向储能逆变器，英文名PCS(PowerConversionSystem)，是储能系统...

2024-11-08 标签：MOS PCS 储能变流器 176 0

多晶硅栅工艺的制造流程

与亚微米工艺类似，多晶硅栅工艺是指形成 MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。淀积的多晶硅是未掺杂的，它是通过后续的源漏离子注入进...

2024-11-07 标签：晶圆工艺 MOS 215 0

浮思特 | 第四代场阻止型IGBT的抗锁定能力和超越硅材极限的性能

由于其低导通损耗和开关能量损耗，IGBT广泛应用于高功率应用领域，如电源、马达驱动逆变器和电动汽车等。对更先进功率器件的需求促使了新型硅基开发及宽禁带材...

2024-11-06 标签：IGBT MOS 功率器件 188 0

低压差线性稳压器AiP73XX系列产品介绍

低压差线性稳压器，是一种输入电压大于输出电压的直流交流稳压器，可以分为双极型和MOS型。双极型LDO可以承受高输入电压，静态电流为mA级别，MOS型LD...

2024-11-01 标签：稳压器 MOS 稳压电路 228 0

FP6277同步内置MOS升压恒压5V/3A芯片，输入限流可调

FP6277是一个具有PWM/PSM控制的电流模式增压直流-直流转换器。它的PWM电路内置30mΩ高侧开关和30mΩ低侧开关使该调节器高高效。内部补偿网...

2024-10-26 标签：芯片直流转换器 MOS 187 0

内置MOS降压恒流芯片FP7127，RGB洗墙灯舞台灯三路共阳DMX512调光方案，支持1阶启动，调光深度0.01%

方案名称远翔DC-DC内置MOS降压恒流芯片FP7127，内置MOS降压恒流芯片FP7127，RGB洗墙灯舞台灯三路共阳DMX512调光方案，支持1阶启...

2024-10-17 标签：芯片 RGB MOS 209 0

首发：耐压85V 内置MOS降压控制器方案FP7132

FP7132是一种高效的降压控制器。它被设计为在连续电流模式下工作，为高亮度的led供电，宽输入电压范围为6V到85V。FP7132采用了一种滞后控制结...

2024-10-16 标签：控制器 MOS 电源芯片 196 0

科力微电子产品在便携式储能的应用

‍ 面向消费者的便携式储能是储能市场新的蓝海分支，一方面行业正处于高速发展期，另一方面产品具有消费品属性。便携式储能又称“大号充电宝”“户外电源”，广泛...

2024-10-15 标签：功率二极管 MOS 储能电源 198 0

使用并联功率MOSFETS的要点和范例

引言：双极晶体管由于是基极电流驱动，因此电流平衡容易被基极-发射极电压VBE的波动所破坏，使得并联连接均衡变得困难。而功率MOS是由电压驱动的，因此只需...

2024-10-15 标签：并联晶体管 MOS 238 0

MPS光伏逆变器整体方案介绍

700V的内置MOS，使得它可以用在单相逆变器的AC辅电中，满足单相市电电压输入，且有着充足的裕量。内置MOS还可以让BOM精简，并缩减占板面积。HF5...

2024-10-12 标签：控制器 MOS 光伏逆变器 384 0

vdmos和mos有什么区别

Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构...

2024-09-29 标签：半导体 VDMOS 晶体管 647 0

开关电源切载时MOS会有过充怎么办？快来试试这个方法！

开关电源切载时MOS会有过充怎么办？快来试试这个方法！我本次调试的样机主控IC为思睿达主推的成都启臣微的CR6842S,这是一款高度集成的电流控制型PW...

2024-09-24 标签：开关电源 MOS 转化器 371 0

广电计量|功率场效应管过压失效机理及典型特征分析

失效分析最常观察到的现象是EOS过电失效，分为过压失效及过流失效的两种失效模式。对于以功率器件为代表的EOS过电失效样品，其失效表征往往表现为芯片的大面...

2024-09-18 标签：场效应管 MOS 失效机理 820 0

系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析

*本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiCMOS开关开通时的过流机理，以及开通...

2024-08-30 标签：二极管 MOS sic器件 363 0

igbt模块与mos的区别有哪些

IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种常见的功率半导体器件，它们在许多应用中都有广泛的应用。工作原理 IGB...

2024-08-07 标签：MOS 半导体材料双极晶体管 518 0

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