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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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EMC有哪些整改对策EMC常用整改对策

EMC 整改常用对策如下：CE1. 在频率 9KHz-1MHz, 电源输入端加 X 电容和电感 (共模、差模 ) 或更换电容和电感的参数；2. 在频率...

2018-12-08 标签：ESD EMC MOS 1.9万 0

浅析MOS管工作原理及特性

MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

2018-12-04 标签：半导体 MOS 36.0万 0

茂捷高精度原边反馈LED恒流调光控制驱动方案

M8920是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流调光控制驱动，支持多种调光模式，可应用于85Vac-265Vac全范围输入电压的反激式...

2018-11-26 标签：LED MOS 6571 0

如何使用MOS管控制达到电源缓启动的目的

MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对...

2018-11-23 标签：电源电路 MOS 4.0万 0

逆变器的制作

逆变器的制作这里介绍的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制...

2019-01-01 标签：变压器逆变器 MOS 8136 0

MOS替换方法及流程之SOA的安全操作区域

在汽车环境中，它们必须能够以可接受的可靠性水平耗散能量。因此，有了非常好的可靠性级别，就有必要定义这种强大的功能(多亏了SOA)。

2018-09-23 标签：mosfet mos soa 9710 0

MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在...

2018-09-23 标签：mosfet mos 8263 0

MOS替换方法及流程之ESD免疫力详解

ESD敏感器件的损坏通常是由于ESD电流的通过使一个小的内部区域受热而引起的。损伤区域可能是金属化轨道或晶体管结。

2018-09-23 标签：esd mos 6392 0

开关电源的整流桥并联,浮地驱动等十条基本电路原理图分析

在小功率设计中，一般很少用到整流桥的并联，但在某些大功率输出的情况下，不想增添新的器件单个整流桥电流又不满足输入功率要求，就需要用到整流桥的并联了，整流...

2018-09-24 标签：开关电源 MOS 驱动电路 2.5万 0

开关电源MOS开关损耗推导过程！

电流上升到Ip1后，此时电流的上升斜率（Ip1-Ip2段）相对0-Ip1这一瞬间是非常缓慢的，我们可以近似把上升到Ip1之后继续上升的斜率认为是0，把电...

2018-09-08 标签：开关电源 MOS 电源系统 3.5万 0

如何消除mos管的GS波形振荡？

对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例...

2018-08-30 标签：MOS 振荡 1.7万 0

如何解决MOS管发热问题？

最近，做了一款小功率的开关电源，在进行调试的时候，发现MOS管发热很严重，为了解决MOS管发热问题，要准确判断是否是这些原因造成，最重要的是进行正确的测...

2018-08-20 标签：变压器开关电源 MOS 3.7万 0

学习场效应管这篇文章管够

MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。

2018-07-21 标签：电容 MOS pnp 1.2万 0

如何区分P-MOS和N-MOS?如何区分MOS的G、D、S管脚?MOS管如何导通?

三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处。三极管机可能经常用，但MOS管你用的可能较少。对于MOS管先抛出几个问题：

2018-07-17 标签：三极管二极管 MOS 10.3万 0

看看MOS管究竟是什么？MOS的三个极怎么判定？

以上MOS开关实现的是信号切换（高低电平切换）。再来看个MOS开关实现电压通断的例子吧，MOS开关实现电压通断的例子：由+1.5V_SUS产生+1.5V电路

2018-07-14 标签：二极管 MOS管 MOS 8.9万 0

LV HV P-Well BCD技术的芯片与制程剖面结构的资料概述

LV/HV P-Well BCD技术能够实现低压 5 V 与高压 100～700 V（或更高）兼容的 BCD 工艺。为了便于高低压 MOS 器件兼容集成...

2018-07-09 标签：MOS BCD LV 1.5万 0

IGBT的结构与工作原理详解

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)...

2018-06-28 标签：IGBT MOS 15.9万 0

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

对于速度饱和所引起的电流饱和情况，一般说来，当电场很强、载流子速度饱和之后，再进一步增大源-漏电压，也不会使电流增大。因此，这时的饱和电流原则上是与源-...

2018-06-13 标签：MOSFET 半导体 IGBT 1.3万 0

电路逻辑问题的探讨

就是逻辑为高的时候，MOS管是关的，低的时候它为开，这个很容易出问题。假设我这个板子给软件工程师来调试，一上电会吓死人的。

2018-04-28 标签：逻辑电路 MOS 3812 0

万事开头难，开关电源设计就应该这样一步一步来

针对开关电源很多人觉得很难，其实不然。设计一款开关电源并不难，难就难在做精，等你真正入门了，积累一定的经验，再采用分立的结构进行设计就简单多了。万事开头...

2018-01-07 标签：开关电源 pwm mos 2.2万 0

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数字隔离技术常用于工业网络环境的现场总线、军用电子系统和航空航天电子设备中，尤其是一些应用环境比较恶劣的场合。数字隔离电路主要用于数字信号和开关量信号的传输。另一个重要原因是保护器件（或人）免受高电压的危害。本文详细介绍了数字隔离器工作原理及特点，选型及应用，各类数字隔离器件性能比较等内容。
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