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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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Boot自举电容的充放电过程及应用

自举电容，内部高端MOS需要得到高出IC的VCC的电压，通过自举电路升压得到，比VCC高的电压，否则，高端MOS无法驱动。

2022-11-14 标签：开关电源 MOS 2469 0

5-100V内置MOS低成本汽车摩托车车灯的做法

提供DC/DC恒流调光IC：摄影补光灯IC，舞台灯IC，帕灯IC，线条灯IC，汽车工作灯IC，电动摩托车灯IC，汽车前大灯IC芯片,车灯IC芯片，刹车灯...

2022-11-07 标签：led 芯片车灯 389 1

3种MOS管的基本电路及拓扑结构的放大特性

MOS管有三个端子，确切的说，有四个端子，分别是源极，漏极，栅极还有衬底极。

2022-11-06 标签：放大器 MOS 4641 0

低损耗高效率高耐压，荣湃Pai8131性能解析

高边MOS和低边MOS由驱动器驱动，当驱动器的输出HO为高时，高边MOS导通，OUT电压几乎等于HV。其电流路径为，从HV流经高边MOS，最后流向外部负...

2022-11-01 标签：MOSFET emi MOS 1335 0

金誉半导体：MOS管耗尽型和增强型是什么意思？

首先，MOS管分为结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。但...

2022-10-21 标签：场效应管 MOS 2593 0

纳芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半桥车规级驱动芯片

纳芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半桥车规级驱动芯片，该系列产品包含NSD8308（8通道）和NSD8306（6通道）两款产品，内部均集成多通...

2022-09-29 标签：继电器 MOS 驱动芯片 2716 0

4种常见的MOS管栅极驱动电路，你用过几个？

MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，选择唯样商城的MOS管，其次驱动电路的设计就很关键。

2022-09-18 标签：MOS管 MOS 驱动电路 2.6万 0

TOLL封装之储能产品

产品核心优势 TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而...

2022-09-05 标签：封装 MOS 储能 1.2万 0

S-MOS单元技术提高了SiC MOSFET的效率

采用 SiC 作为功率器件材料的优点之一是能够使用许多众所周知的硅器件原理和制造程序。基本器件拓扑包括垂直肖特基二极管或垂直功率 MOSFET（在通过 ...

2022-07-29 标签：MOSFET MOS SiC 806 0

NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)

2022-07-20 标签：MOSFET MOS 1119 0

NP3400AMR（30 v n沟道增强型MOSFET）

NP3400A使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-19 标签：MOSFET MOS 1234 0

NP30N03LD6（30 v n沟道增强型MOSFET）

NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化极低的RDS(上)和路上的组合。这设备...

2022-07-19 标签：MOSFET MOS 1095 0

NP2102EKR(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2102EKR设计最小化开态电阻(RDS(上)),但维护优越的切换性能,使它适合高效率电源管理应用程序。

2022-07-19 标签：MOSFET MOS 722 0

NP2302FVR-YB(20v n沟道增强型MOSFET)

NP2302FVR-YB使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这个设备适用于使用作为PWM负荷开关或应用程序。

2022-07-19 标签：MOSFET MOS 731 0

NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)

2022-07-19 标签：MOSFET MOS 1067 0

NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)

2022-07-18 标签：MOSFET MOS 967 0

NP2302FVR-J（20 v n沟道增强型MOSFET）

NP2302FVR-J使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这个设备适合作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-18 标签：MOSFET MOS 987 0

NP2302FHR(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2302FHR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-18 标签：MOSFET MOS 901 0

NP2302FVR(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2302FVR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-18 标签：MOSFET MOS 916 0

NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)

2022-07-18 标签：MOSFET MOS 1388 0

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