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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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超结MOS管65R380的特点及应用领域

超结MOS也叫COOlMOS，是在普通MOS基础上使用新型超结结构设计的MOS管。超结MOS管主要在500V、600V、650V及以上高电压场合使用。

2022-07-15 标签：芯片 MOS管 MOS 7815 0

NP2302DVR(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2302D使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-15 标签：MOSFET MOS 1064 0

NP2302CVR（20 v n沟道增强型MOSFET）

NP2302C使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-15 标签：MOSFET MOS 1210 0

NP2302DHR(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2302DHR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-15 标签：MOSFET MOS 639 0

NP2300VR-M(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2300VR-M使用先进的战壕技术提供优秀的RDS(上)、低门电荷和高密度细胞设计超低导通电阻。本设备适用于作为负载在PWM开关或应用程序。

2022-07-14 标签：MOSFET MOS 650 0

NP2300MR（n沟道增强型MOSFET）

NP2300MR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-14 标签：MOSFET MOS 960 0

NP2300BHR(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2300BHR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-14 标签：MOSFET MOS 647 0

NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)

2022-07-14 标签：MOSFET MOS 1180 0

NP2300HR(20v n沟道增强型MOSFET)

NP2300HR-G使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费超低密度细胞设计导通电阻。这个设备适合作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-14 标签：电阻 MOS RDS 802 0

效率高成本低的MOS管2N7002

在实际应用中如果要说哪款又便宜又可靠的MOS管当属2N7002，2N7002属于N沟道增强型场效应管。具有抗冲击能力强，输出效率高，成本低等特点。仁懋电...

2022-07-13 标签：电子元器件 MOS 2N7002 8533 0

NP2012(20 v n沟道增强型MOSFET)

NP2012使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-13 标签：MOSFET MOS 833 0

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

2022-07-13 标签：MOSFET MOS 1989 0

NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)

2022-07-13 标签：MOSFET MOS 2106 0

NP2312AMR(20v n沟道增强型MOSFET)

NP2312A使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和收费操作门电压2.5 v。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-13 标签：MOSFET MOS 773 0

NP2018DR(20v n沟道增强型MOSFET)

NP2018DR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和收费操作门电压2.5 v。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

2022-07-12 标签：MOSFET MOS 651 0

外置MOS大电流Boost

根据Boost架构类型不同，Boost可分为同步和异步两个大类，实际应用的时候，会结合工作电压和应用场景不同来选型，因此在此基础上，微源Boost会有更...

2022-07-12 标签：转换器 Boost MOS 4361 0

基于EDA仿真验证进行IGBT芯片研发的方法使用

IGBT是综合MOS管和双极型晶体管优势特征的一种半导体复合器件，作为功率半导体分离器件的代表，广泛应用于新能源汽车、消费电子、工业控制领域，所涉及领域...

2022-07-10 标签：IGBT eda MOS 1999 0

详解功率半导体器件的常见分类

电力电子变换器的功率等级覆盖范围非常广泛，包括小功率范围：如笔记本电脑、冰箱、洗衣机、空调等；中功率范围电气传动、新能源发电等；大功率范围：如高压直流输...

2022-07-06 标签：半导体 IGBT MOS 2934 0

CRE6255ME开关电源芯片的功能特点

CRE6255ME 是一款内置高压 MOS 功率开关管的高性能多模式原边控制的开关电源芯片。该产品方便用户以较少的外围元器件、较低的系统成本设计出高性能...

2022-07-03 标签：电源 MOS 开关电源芯片 4026 0

湿法蚀刻与干法蚀刻有什么不同

在半导体芯片的物理和故障分析过程中(即验证实际沉积的层，与导致电路故障的原因)，为了评估复杂的半导体结构，拥有适当的处理工具至关重要。为制造的每件产品开...

2022-06-20 标签：半导体 MOS 蚀刻 6229 0

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