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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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不同的损耗导致顶侧和底侧MOSFET的加热不同。在系统设计中使用分立MOSFET时,可以尝试这些不同的方法来平衡顶侧和底侧FET之间的温度。
2018-03-02 标签:MOSFET电源管理CSD88584Q5DC 1.3万 0
似乎选取功率MOSFET的耐压对于很多工程师来说是最容易的一件事情,因为设计的电子系统输入电压是相对固定的,公司选取特定的供应商的一些料号,产品额定电压...
2018-02-10 标签:mosfet 2.4万 1
反激式转换器工作原理以及反激开关MOSFET源极流出的电流波形转折点的分析
反激式转换器在正常工作情况下,当MOSFET关断时,初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充电,当Coss两端的电压V...
本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关...
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质...
为减少开关管损耗的BSCO16NO3LSG型开关电源MOSFET
近年来,电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大(某些电源系统输出几十安培到上百安培)。因此,电源设计中采用开关电源控制器、加上多个驱动器及功率 MOS...
要实现LLC原边MOSFET ZVS,MOSFET电容必须满足的条件
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSF...
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的...
采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路
结论 本文采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计,可在1.5V...
几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子(IGBT、三极管、MOSFET等)不用于串联结构以解决单只...
电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如果没有电,人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电...
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