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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一种非易失性（Non-Volatile）的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

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FeRAM和MRAM的比较

FeRAM，全称Ferroelectric RAM（铁电随机存取存储器），是一种基于铁电材料特性的非易失性存储器技术。它类似于传统的SDRAM（同步动态...

2024-07-15 标签：SDRAM 存储器 MRAM 949 0

从MRAM的演进看存内计算的发展

我国的存内计算产业也开始迅猛发展，知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、苹芯科技等国内专注存内计算赛道的新兴公司纷纷获得融资，加速在该领域的早期市场布局...

2024-05-17 标签：存储器芯片架构 MRAM 1154 0

探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 MRAM 的存算一体的探究

本文深入探讨了基于SRAM和MRAM的存算一体技术在计算领域的应用和发展。首先，介绍了基于SRAM的存内逻辑计算技术，包括其原理、优势以及在神经网络领域...

2024-05-16 标签：存储器神经网络 sram 2413 0

MRAM特性优势和存储原理

MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同...

2024-02-19 标签：存储器 sram 晶体管 1350 0

MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）有何区别

MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。

2024-01-09 标签：电容器存储器数据存储 1079 0

深入探索MRAM的原理与技术

2024-01-09 标签：存储器 sram MRAM 1073 0

ReRAM能否取代NOR？

“与MRAM相比，ReRAM有两个主要优势——工艺简单和更宽的读取窗口，”的内存技术专家Jongsin Yun说西门子EDA。“MRAM需要10层以上的...

2023-11-22 标签：存储器晶体管 MRAM 773 0

MRAM会取代DDR吗？简单比较下MRAM、SRAM和DRAM之间的区别

在当前我们比较熟悉的存储产品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在寻求高带宽和低功耗的发展。

2023-10-07 标签：电容器 DRAM 存储器 3581 0

数据存储技术发展历程简述

数据存储技术的发展，可以说是一段漫长而又充满神奇色彩的历程，承载着人类智慧与技术创新。从最早的打孔卡开始，它逐渐经历了磁存储、硬盘、闪存，以及现在的云存...

2023-09-22 标签：PCM 存储器数据存储 3166 0

如何选择存储器类型存算一体芯片发展趋势

闪存存算方面，目前主要路线是基于NOR flash（不是目前优盘所用的闪存类型），多数情况下存储容量较小，这使得NOR flash单片算力达到1 TOP...

2023-09-06 标签：传感器存储器 MRAM 779 0

什么是OTP？eFuse是什么？eFuse是如何使用的？

NVM，即Non－Volatile Memory，非易失性存储器。

2023-08-29 标签：FlaSh 嵌入式系统 ROM 6871 0

一文了解新型存储器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRA...

2023-04-19 标签：DRAM 存储器 RAM 3487 0

新型存储MRAM 技术及产业发展现状

全新的存储器MRAM，ReRAM，PCRAM，相对于传统存储器来说，具有很多方面独特的优势，能够在计算系统层级实现更优的计算性能、功耗和成本。

2023-03-20 标签：存储器 MRAM reram 1703 0

新兴的记忆存储器问世了吗

新兴的存储器涵盖了广泛的技术，但是需要注意的关键是MRAM，PCRAM和ReRAM。已经有一些离散的MRAM器件问世了，但是有很多关于代工厂使用专用芯片...

2022-11-25 标签：微控制器存储器 NOR芯片 433 0

介绍一种可编程逻辑控制器专用MRAM—MR0A16A

与其他标准主流存储器不同，Everspin的MRAM可在恶劣环境下实现数据完整性和可靠性，并在断电且无需电池的情况下即时保存事件。

2022-11-18 标签：plc MRAM 可编程逻辑控制器 1720 0

浅析MR25HxxxDF的2.0mm裸露底垫新封装

EVERSPIN的SPI产品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盘的新型DFN8封装。这种新封装允许该器件既可用于JEDEC标准SOIC-8引脚又可用于DF...

2022-11-17 标签：MRAM PCB 2672 0

MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面

MRAM是使用单个一体化的机台进行物理气相沉积(PVD)，可以精确地沉积20至30个不同的金属和绝缘层，每个金属层和绝缘层的厚度通常在0.2至5.0nm之间。

2022-11-17 标签：TMR MRAM 金属电极 2659 0

STT-MRAM非易失性磁随机存储器的优点及其应用有哪些

反铁磁性材料在微观尺度上有磁性，但在宏观尺度上却没有。这意味着用这些材料制成的MRAM单元的相邻位之间没有磁力-这意味着您可以将它们非常紧密地包装在一起。

2022-11-17 标签：存储器飞行器 MRAM 1310 0

基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件存在的两个弊端

随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场，面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的长宽比。

2022-11-17 标签：MRAM 1992 0

Everspin展示了28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权...

2022-11-17 标签：CMOS 存储器 DDR4 2688 0

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