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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一种非易失性（Non-Volatile）的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

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4Mbit的磁存储器HS4MANSQ1A-DS1广泛用于嵌入式系统

2024-04-22 标签：存储器 MRAM 国芯思辰 332 0

驰拓科技完成12亿元B轮融资，加速MRAM产业生态布局

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2024-03-28 标签：存储芯片 MRAM 784 0

磁存储器HS4MANSQ1A-DS1在电池管理系统 (BMS)中的应用

2024-03-28 标签：电池管理系统 MRAM 国芯思辰 384 0

MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命

2024-03-18 标签：SSD 固态硬盘 MRAM 418 0

4Mbit磁存储器HS4MANSQ1A-DS1在RAID控制卡中的应用方案

国芯思辰，国产芯片替代

2024-03-14 标签：RAID 控制卡 MRAM 328 0

磁存储器HS4MANSQ1A-DS1在智能车载终端（T-BOX）中的应用方案

2024-03-02 标签：存储器 MRAM 国芯思辰 431 0

MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽车电子中的应用

2024-02-28 标签：汽车电子车载电子 MRAM 409 0

瑞萨电子宣布已开发具有快速读写操作的测试芯片MRAM

瑞萨电子公司日前宣布，该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术，以下简称MRAM）具有快速读写操作的测试芯片。

2024-02-25 标签：放大器存储器人工智能 778 0

智能仪表中的MRAM HS4MANSQ1A-DS1，容量4Mbit

国芯思辰，国产芯片替代

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MRAM HS4MANSQ1A-DS1可用于工业控制存储关键数据

国芯思辰，国产芯片替代

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台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片，功耗极低

台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代...

2024-01-22 标签：台积电存储器 MRAM 3046 0

MRAM HS4MANSQ1A-DS1适用于导航定位系统

国芯思辰，国产芯片替代

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杀手锏！台积电开发SOT-MRAM阵列芯片

台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。

2024-01-18 标签：台积电内存内存芯片 5392 0

台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM，功耗仅为STT-MRAM的百分之一

鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM...

2024-01-18 标签：台积电存储器 MRAM 1420 0

MRAMHS4MANSQ1A-DS1用于物联网终端，容量可达4M

物联网的三大特征是感知物体、信息传输和智能处理。物联网的终端设备（例如可穿戴设备、智能家居等）需要在收集大量数据的同时对数据进行智能处理，并实时与数据中...

2024-01-18 标签：物联网 MRAM 国芯思辰 570 0

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国芯思辰，国产芯片替代

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创纪录的SOT-MRAM有望成为替代SRAM的候选者

最近，Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。

2024-01-05 标签：HPC 嵌入式存储器 MRAM 1119 0

RAM和NAND再遇强敌， MRAM被大厂看好的未来之星

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2023-09-20 标签：半导体智能化 MRAM 984 0

关于非易失性MRAM应用

作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。

2023-08-30 标签：存储器 sram MRAM 572 0

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