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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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存储器的历史始于1984年,彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash(NAND 闪存)。1989年,东芝首款 NAND Flash 上市。...
MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器,使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他...
三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于MRAM(磁阻式随机存取存储)的存储内运算(In-Memory Computing),进一步拓展了三星下世代低功...
具有快速数据传输功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最大 10...
2022-08-26 标签:存储器Nand flashMRAM 615 0
MRAM可能是非易失性存储技术的下一个大事件。该技术利用了磁性材料的相对极性和电阻之间的关系。本质上,当两个磁铁靠近时,它们的电阻会发生变化,这取决于它...
一些自旋电子存储器已经面世。MRAM(磁性随机存储器)已经商业化,在某些情况下可以取代电子存储器,但它是基于铁磁开关的。
磁性随机存储器(MRAM)是一种基于自旋电子学的新型信息存储器件,其核心结构由一个磁性隧道结和一个访问晶体管构成。MTJ 呈现“三明治”结构,两层磁性固...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款适用于自动化控制器的存储器芯片
Everspin了解客户在工业市场中对长期数据保留和极端温度支持等功能在通常恶劣的工业环境中非常重要。该技术的固有耐用性通过避免使用其他非易失性存储器技...
Everspin科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商,自从Ev...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/...
2021国内新能源汽车销量近300万辆,同比增长169.1%;三星宣布发布全球首个MRAM存内计算设计……
2021国内新能源汽车销量近300万辆,同比增长169.1%。近日,乘联会现公布了 2021 年 12 月及全年销量排名快报。从全年数据来看,比亚迪汽车...
在 MRAM 这类内存写入时,组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压,使得数据的保存、写入耐久性,以及写入速度三者往往不可兼得,必须有所权衡。这意味着即使ST...
Everspin并行接口4Mb MRAM是汽车应用的理想选择
MRAM速度快且非易失性。实时监控的传感器数据可以实时写入,无需负载均衡或ECC开销。AEC-Q1001级合格MRAM将在发动机罩下应用的扩展温度(-4...
血液透析是为人工肾、洗肾,是血液净化技术的一种。其利用半透膜原理,通过扩散、对人体内各种有害以及多余的代谢废物和过多的电解质移出体外,达到净化血液的目的...
MRAM像SRAM一样是快速写入的,而像Flash一样也是非易失性的,但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM,并且即使意外...
Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用...
Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MR...
MR10Q010是理想的存储器解决方案,适用于必须使用少量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad S...
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