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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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MRAM是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“...
“持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设备。MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都声称具有相似的性...
MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力,能够将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合,同时具有非易失性和节能性...
Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAMSTT-MRAM的翘楚,其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性,低延迟和安全...
Everspin MRAM加强了RIM智能电表的即时非易失性
今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。 Everspin的4Mbit MR2...
Everspin半导体为环境苛刻的应用,如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace在其磁力计子系统中使...
MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该...
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性...
对于长期处于困境的MRAM行业来说,自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。 MRAM轰轰烈烈地问世。但此后,MRAM在工艺发展和大容量方面并没...
Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性...
SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括: 易失...
MRAM即磁阻式随机访问存储器的简称。经过10多年不间断的研发,全球第一款正式量产并供货的MRAM芯片型号为MR2A16A,它采用44脚的TSOP封装,...
MRAM是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRA...
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