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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEP...
MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄5...
MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外...
前言:实现硬件方面的复兴,才能充分挖掘人工智能时代的潜力。在性能、功耗和密度(面积/成本)方面得到显著改善的新兴存储可以满足边缘计算、近边缘和云计算的需...
最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场,使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程,因此当时...
目前主流的MRAM利用巨磁阻效应( GMR)和磁性隧道结(MTJ))的隧穿电阻效应来进行存储。以MTJ为例,其元胞结构包括自由层、隧道层和固定层3个层面...
MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下来的十年中,两种新兴的非易失性存储器类型(相变存储器和磁RAM)将在独立存储器中处于领先地位。
MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器(...
MVentures和imec.xpand以及韩国存储器制造商SK Hynix,Robert Bosch Venture Capital和TEL Vent...
新兴的记忆已经存在了数十年。尽管有些人已经发现嵌入式技术在商业上取得了一定程度的成功,但它们也落后于离散存储器的高性价比替代方案。尽管具有更高的性能,耐...
存储器IC市场一直是动态的,但是随着边缘计算,人工智能(AI),5G和自动驾驶的兴起,对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行,使工作和商...
自旋传递扭矩RAM(STT-MRAM)有着出色的可扩展性和耐用性
自旋传递扭矩RAM(STT-MRAM)它结合了非易失性,出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。 自旋传递转矩(STT)写入是一种通过对齐...
MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ ),而后者则是电荷。 每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的...
磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失...
随着半导体工艺技术的不断进步,芯片工艺制程的不断演进和成本的不断降低,半导体芯片广泛应用在物联网、个人终端、汽车电子、可穿戴设备、工业互联网等各个领域。...
对于存储器而言,重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力,但是始终只能偏重某一方面...
新型的存储器既具有RAM的优点,又有非失易失性特征,同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使...
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