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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少,但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的,一旦没有持续的电力,所存储的数据...
非易失性是指MRAM单元在关断电源后仍可保持完整记亿,功能虽与闪存类同,但本质各异。 闪存的非易失性不是闪存的固有属性,而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成...
Rick Gottscho博士:下一代芯片在堆叠、微缩和检验方面的挑战
泛林集团首席技术官Rick Gottscho博士接受了行业媒体Semiconductor Engineering (SE)的专访。
一种称为Universal Selector的新创新技术,它将显着提高现有和新兴存储技术(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因为它将提供一种新...
尽管具有规模经济性,但其他类型的存储器仍具有AI应用程序的未来可能性。 MRAM通过受外加电压控制的磁体的方向存储数据的每一位。如果电压低于翻转位所需的...
Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的优势
Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚,在这些市场和应用中,数据持久性和完整性,低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个419...
高密度MRAM具有非常低的功率,高的读取速度,非常高的数据保留能力和耐久性,适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米,读取速度为10ns,读取...
Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM和NVMe SSD构建未来的云存储
Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存...
在所有常年兴起的记忆中,MRAM似乎最有可能濒临大规模,广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。 MRA...
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,标称Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围(1...
Everspin MRAM内存技术是如何工作的? Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁...
MR25H256是一个串行MRAM,具有使用串行外围设备接口的芯片选择(CS),串行输入(SI),串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四针接口在逻辑上...
Everspin是设计制造和商业销售MRAMSTT-MRAM的全球领导者,其市场和应用涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在...
磁阻RAM(MRAM)是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM...
MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较
新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与...
来源:半导体行业观察 位于加利福尼亚州弗里蒙特的MRAM初创公司Spin Memory表示,它已经开发出一种晶体管,可以大大缩小MRAM和电阻性RAM的...
Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚,其市场和应用涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计,制造和交付给相...
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