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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度...
2020-04-08 标签:MRAM 996 0
Everspin在磁存储器设计,制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产...
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与S...
MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由...
Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商,在包括40nm,28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙...
eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯...
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1):...
2020-04-07 标签:MRAM 1725 0
ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种高性能存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋...
Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺
MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特点,可以在单个芯片中替代当今使用的所有类...
在不久的将来,我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。...
2020-03-25 标签:MRAM 547 0
Everspin与GlobalFoundries有着悠久的合作历史,而且十多年来,通过不断改进,对其工厂进行微调优化。能迅速积累并将这些经验传授给Glo...
格芯表示要做MRAM领域的领导者 以推动潜在的新计算架构等新技术发展
2018年8月份AMD宣布将7nm CPU订单全都交给台积电,双方的合作关系这两年非常密切。与之相比,AMD的前女友GF公司现在与X86 CPU代工渐行...
Globalfoundries提供eMRAM 计划在2020年实现多个流片
Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术,该公司正在与几个客户合作,计划在2020年实现多个流片。
台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中,从研究成...
在最近的一年,固态硬盘和内存的涨势却是让很多厂商都挣得盆满钵满的,就连美光也一反颓势,取得了相当不错的成绩。
28nm节点可能是eFlash最后一个经济高效的节点 格芯欲用22FDXeMRAM技术取代
格芯的战略是为快速增长市场中的客户提供高度差异化、高附加值的解决方案,而践行这一承诺的实际成果就是我们的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
在美国举行的“MRAM开发者日”活动上,Yole Development分析师Simone Bertolazzi分享了MRAM技术和市场的最新趋势。
未来五年预计上涨40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存储市场?
8月5日,在美国举行的MRAM开发者日活动上,Yole Development分析师Simone Bertolazzi分享了MRAM技术和市场的最新趋势...
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