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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。
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有人会认为设计一个基于NAND的存储系统是相当简单的。然而,这是一个极其复杂的过程,在此过程中需要进行一系列组件和权衡。没有一种适合所有解决方案的解决方...
根据TF卡的存储量来看,一般16G内存的卡可以录制100分钟视频存储,32G内存的卡可以录制200分钟视频存储,64G内存的卡可以录制400分钟视频存储
浪潮信息企业级SSD:如何在PCIe生态下,提升NAND信号质量
近年来,随着NAND接口速率越来越高,如何保证信号高速传输下的完整性和传输速率成为NAND厂商要面对的首要问题。浪潮信息企业级SSD通过对端接和电路的技...
万物智联时代的到来,大幅提升了人工智能 (AI) 及边缘计算 (Edge Computing)等巨量运算架构的应用需求。但是传统存储器均在耗电量、数据访...
应用了闪存堆叠技术的3D NAND Flash的出现,比以往的2D NAND Flash提供了更大存储空间,满足了业界日益增长的存储需求,因而成为主流。
SSD 销售额同比下降 14%,从 2021 年的 340 亿美元降至 2022 年的 290 亿美元;就单位而言,这相当于约 3.52 亿台,低于 2...
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之...
一文了解SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的区别
在嵌入式系统领域,作为存储设备的NOR Flash和NAND Flash,大家应该不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式,也就是把数据线,地...
“凭借先进的封装技术,一些公司已经在 CPU 上堆叠 SRAM,”Lee 说。“但是在 3 级之后,我们可以有 4 级,一个额外的缓存层吗?根据工作负载...
详解三维NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工艺节点之后,传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量,NAND集...
Storage Class Memory (SCM)是非易失性内存,该类介质的存取速度略比内存慢,但是远快于NAND类介质。本文对该类介质的特性及使用方...
从SD卡、手机、平板等消费级产品到数据中心企业级场景,NAND Flash凭借其高性能、大容量、低功耗以及低成本等特性大受欢迎,是目前应用最为广泛的半导...
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