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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。
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3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM为什么拼不过它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来,最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势,3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者:...
层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高,要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候,存储堆栈的高度也在增大,然而每层的厚...
什么是UFS?UFS需要做哪些仿真?UFS的发展史、组成及特点
UFS(Universal Flash Storage)即通用闪存存储,是一种将Nand Flash和Flash controller 协议接口封装在一...
在固态硬盘的发展过程中,Trim指令起了很大的作用。如果不是它的出现,我们现在使用的固态硬盘性能都会下降一大截。Trim为何会有这样神奇的作用?如何能确...
闪存(NAND)的数据存储是把电子禁锢在栅极里,实际上,温度越高,电子越活跃,越有可能跑掉一部分,时间一长,很多电子跑掉后,数据就有可能丢失。实际上JE...
Nand-flash存储器工作原理及其操作实例(以K9F1208UOB为例)
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统...
2017-10-11 标签:nandflash存储器k9f1208uob 2.2万 0
pSLC带来的“新”存储容量 伪SLC如何兼顾耐用性和经济性
( 作者:Swissbit AG 存储解决方案总经理 Roger Griesemer)如今,在 NAND 闪存行业中,随处可见存储密度又达到新高的各种新...
什么是闪存颗粒?2D NAND和3D NAND间的区别跟联系又是什么?
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪...
现如今随着手机的不断推广和普及,已掩盖电脑时代的辉煌,很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
NOR架构的布线和结构如下图所示。每个记忆单元互相独立,都有一段直连到地,组成一个类似NOR闸(或称“或非门”)的电路。
详解三维NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工艺节点之后,传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量,NAND集...
通过一系列的介绍和实验验证,我们看到了TRIM的价值和实现原理。在TRIM的帮助下,NVMe SSD的GC等操作效率更高,进而达到降低写放大,提高产品性...
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