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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每个电子设计都需要的组件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD 保护器件、MOSFET、GaN FET 以及模拟和逻辑IC。
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TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性
Nexperia新8英寸晶圆生产线启动,首批产品具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on)x Qrr)
Nexperia今日宣布,位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动,首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ,80 V...
Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿...
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布...
在基础半导体器件领域享有高产能生产专家之誉的 Nexperia(安世半导体)最近发布了 22 种新型平面肖特基二极管产品组合。此次发布的产品均采用了 C...
安世半导体Nexperia将在汉堡投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)
半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日宣布,计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合,推出 10 款全面优化的 ...
Nexperia推出首款带可焊性侧面、采用DFN封装的LED驱动器
采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封装,能有效节省空间。
不断增加的汽车电气化、5G通信、工业4.0以及基于GaN的主流设计正渐入佳境,都将推动2021年及未来功率半导体的需求增长。
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
Nexperia推适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件,支持使用AOI工具
Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管,具有行业领先的ESD性能兼容AOI,出色的RF性能。
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品
PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压,为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案 ...
2022-12-19 标签:Nexperia 830 0
采用创新的可配置上拉电阻和引脚兼容封装 奈梅亨, 2023 年 4 月 28 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出全新1...
2023-04-28 标签:Nexperia 829 0
在全球电气化和数字化浪潮不断加速的今天,半导体技术作为其核心驱动力,正迎来前所未有的发展机遇。近日,全球知名半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣...
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
1200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源转型 奈梅亨, 2023 年 11 月 30 日 :基础半导体器件领域的高产能生产专家Ne...
全球基础半导体器件领域的领军企业Nexperia(安世半导体)最近发布了全新的专用于监测和保护1.8V电子系统的4通道和8通道模拟开关系列产品。这一创新...
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