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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每个电子设计都需要的组件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD 保护器件、MOSFET、GaN FET 以及模拟和逻辑IC。
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Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出 满足不断增长的功率半导体需求
通过新投资支持全球战略,满足不断增长的功率半导体需求并提升GaN工艺技术; 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力...
索尼Xperia与穿越火线合作 Xperia 5 II为官方比赛用机
2月2日消息,今日,索尼Xperia官方通过微博宣布,索尼正式成为2021穿越火线:枪战王者职业联赛首席合作伙伴,同时,索尼Xperia 5 II也成为...
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于汽车感性负载控制
双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性,简化汽车电磁阀控制电路。
Nexperia推适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件,支持使用AOI工具
Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管,具有行业领先的ESD性能兼容AOI,出色的RF性能。
Nexperia为多个汽车应用领域贡献力量,约270款Nexperia产品运用在不同的汽车应用中。
Nexperia全新定义MOSFET产品 为特定应用提供优化的参数
Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供ASFET系列。
Nexperia推出首款带可焊性侧面、采用DFN封装的LED驱动器
采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封装,能有效节省空间。
Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保护的共模滤波器
HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,这需要更优秀的抗干扰保护,尤其是在紧凑的无线应用中。
Nexperia推出四款全新兼具高信号完整性的TrEOS ESD保护器件
具备行业基准性能的器件,符合AEC-Q101标准,可保护信息娱乐、多媒体和ADAS系统。
Nexperia宣布推出新一代氮化镓技术;中芯国际回复首轮问询…
据有关媒体报道,近段时间内,包括苹果、高通、联发科、AMD等在内,都纷纷向台积电大幅追加第四季度的7nm订单。第四季度是个耐人寻味的时间点,因为美方5月...
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代650V氮化镓 (GaN) 技术
新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用;新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基...
Nexperia推出反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器
PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。
Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装
LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。
TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性
Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计
的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件
Nexperia针对汽车以太网推具有开创性且符合OPEN Alliance 标准的硅基ESD器件
分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia,日前宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太...
MJD双极晶体管(高达8A)丰富了Nexperia功率产品系列
Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管(符合 AEC-Q101 标准以及消费者/工业标准)。
总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功...
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