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铜金属化过程中,氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层(IMD)的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层(Passivatio...
PECVD工艺中RF射频功率对μc-Si:H薄膜各项参数影响
HJT太阳能电池已经在正、背表面实现了钝化接触,因此获得了较高的开路电压,明显高于TOPCon电池和PERC电池。但正表面的非晶硅层存在较为严重的寄生吸...
国内PECVD设备唯一产业化厂商 拓荆科技申请科创板IPO申请获受理
7月12日,拓荆科技股份有限公司(简称“拓荆科技”)申请科创板上市已获受理。根据招股书,拓荆科技拟募集资金10.00亿元,计划投资于高端半导体设备扩产项...
从156.75 mm到166 mm,大尺寸硅片已经悄然进入市场,硅片尺寸增大在电池片制造、组件封装等环节能够实现成本节约,据了解M6电池片各制程的工艺时...
沈阳拓荆科技有限公司承担的国家重大科技专项项目——90~65纳米等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的研发与产业化研制日前获得成功
盛美上海:Track设备预计年底与***对接 将打破当前市场一家独大局面
从各产品线来看,盛美上海pecvd设备组正积极与客户合作,目前在软件和硬件的改善方面都取得了相当大的进展。该公司在pecvd装置上追求差别化的技术路线,...
拓荆科技2023年业绩预增,预计净利润6亿至7.2亿元,同比增长62%
业务收入增幅达52.44%-64.17%,得益于公司加大研发力度,攻克核心技术难题,在制程更新换代中取得重大业绩突破。数码设备销售额回升,PECVD设备...
拓荆科技成立于2010年,是国内唯一一家针对薄膜沉积领域实现pecvd和sacvd产业化的公司,也是ald领域的国内龙头企业。公司目前已进入中芯国际、长...
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