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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
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众所周知MOS是电压型驱动,只有G极比S极高一个开启电压Vth之后,MOS才会导通(这里指NMOS)。
MOS管,是MOSFET的缩写,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻译过来是金属-...
上周讨论了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎样的关系?,这个属于比较细节的问题,在面试中基本不会遇到,但是今天讨论的这个问题还是很有可能碰到的。
Vt roll-off核心是(同一个工艺节点下面)阈值电压与栅长之间的关系。当沟道长度比较长的时候,Vt值是比较稳定的。随着沟道长度的减小,阈值电压会下...
HJ4308A是一款采用厚膜工艺制成的航电28V中功率SSPC(固态功率控制器),符合GJB2438规范。其内部主要由PMOS功率驱动电路、过流过温及欠...
明白上述原因后,就可以理解输出的高电平由上管决定,低电平由下管决定。为了保证在某一时刻,输出只能为高电平或低电平,需要结合上下管,即当上管导通时,下管必...
如果电路的电源接反,例如将正极线接到地,负极线接到电路的Vcc。可能会发生两件坏事,要么我们设计的电路连同其中所有昂贵的组件一起被烧毁,要么电源本身被毁...
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