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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
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硬件工程师的很多项目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心将电源正负极接反的现象,导致很多电子元器件都烧毁,甚至整块板子都废掉,还得再焊接一块,不知道有什么...
电源反接,会给电路造成损坏,电源反接是不可避免的。所以我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的,下面介绍几种常用防反接电路。
PMOS中的空穴迁移率比NMOS中电子的迁移率低,所以为了实现相同的电流输出,我们需要将PMOS的宽度做的是NMOS宽度的2~3倍。
设计具有 NMOS 和驱动IC 的防反保护电路时,NMOS 需放置在高边,驱动IC也从高边取电,这里将产生一个大于输入电压 (VIN) 的内部电压,给 ...
由PMOS来进行电压的选择:当V8V存在时,此时电压全部由V8V提供,将PMOS关闭,VBAT不提供电压给VSIN,而当V8V为低时,VSIN由VBAT供电。
“晶体管开关”,是使用晶体管控制电路通断的开关。根据实际应用场景,也称“模拟开关(analog Switch)”或“逻辑开关(Logic Switch)...
通过D3, D4, R4,实现“浮地”拓扑,可钳位比较器的供电电压,使其输出不会超过MOS 管的最大栅源电压V G S ( m a x ) 。
通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长,可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中,在电源反接时,二极管承担所有的电压,有效防止电源反接损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用...
如图所示,令左路电流为10u,PM1和PM0宽长比相同,则由电流镜定律,右侧电流也为10u,目标:设计较为精确的电流镜,要求输出(PM3漏端)电压>...
此电路功能为三输入与门形式,输入为A,B,C,输出为Y。用CMOS实现反相器电路,PMOS和NMOS管进行全互补连接方式,栅极相连作为输入,电路上面是三...
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