PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应（MOS）晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压（栅极接地）时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。