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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
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智能家居之旅(9):HomeAssistant 的开关实体具象化
(。・∀・)ノ゙嗨,时隔一个月,又开始关于 HA 的帖子了,前期介绍了一些实体的使用方法,后面的帖子会结合相应的硬件介绍,把实体真正应用起来,方便各位小...
NMOS(N型金属氧化物半导体)和PMOS(P型金属氧化物半导体)是两种基本的场效应晶体管(FET)类型,它们在电子设备中发挥着至关重要的作用。了解这两...
PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?
PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢? PMOS和NMOS是两种不同的MOSFET(MOS场效应晶体管)。这两种晶...
PMOS二极管连接和NMOS二极管连接做负载的区别是什么? PMOS二极管和NMOS二极管都是基础电子元件,用于构建各种电路,包括逻辑门、放大器、时钟...
如果把cmos反相器中的nmos和pmos颠倒连接,电路能否工作?为什么?
如果把cmos反相器中的nmos和pmos颠倒连接,电路能否工作?为什么? CMOS反相器是数字电路中非常基础的一种电路,也被广泛应用于不同的场合中,例...
Vin正常输入电压时,稳压管没有反向击穿,R3,R4电流基本为0。PNP三极管的Vbe=0,即PNP三极管不导通。PMOS管Q4的Vgs由电阻R5,R6...
Si和Ge最外层都有4个电子,但是电子从共价键挣脱出来所需的能量不一样,即Bandgap Energy不一样,所有其自由电子的密度随温度的变化曲线不一样...
早期的栅极是用金属制作的,但现在由导电的多晶硅取代。栅极位于一层薄薄的二氧化硅上,这是一种绝缘体。衬底,栅极,源极和漏极,通过金属端子与外界连接。
因为PMOS开启后电流可双向流动,这个电路的负载不能是电池等电压源。否则,如下右图,因为负载电池有5V电压,V G S = − 5 V V_{GS}=-...
我查了一些资料,总结了一下,大概就是,PMOS关断时,不是完全关断,还是会有一些电荷漏过去,由于PMOS管的关断时的内阻很高,所以只要有一点点电荷就能撑...
如下是最传统的采用 PMOS 做防反功能的电路单元,PMOS 的门级接电阻到地。当输入端接正向电压时,电流流过 PMOS 的体二极管到负载端,当正向电压...
在你看这篇文章之前,我想提出几点说明: (1)最近在看拉扎维的书,写下来这些东西,这也只是我个人在学习过程中的一点总结,有什么观点大家可以相互交流; (...
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