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采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
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稳压二极管起稳压作用的条件主要包括以下几个方面: 一、反向偏置 稳压二极管在电路中必须处于反向偏置状态,即其正极接低电位,负极接高电位。这是稳压二极管能...
1. 稳压二极管的工作原理 稳压二极管(也称为齐纳二极管)是一种利用PN结的反向击穿特性来实现稳压的半导体器件。在稳压二极管中,PN结的反向击穿电压(也...
稳压二极管,又称齐纳二极管(Zener Diode),是一种特殊类型的半导体二极管,其主要功能是在电路中提供稳定的电压参考。 稳压二极管的工作原理 稳压...
晶体管是由 两个PN结构成 的。具体来说,晶体管内部包含三个区域:发射区、基区和集电区,这三个区域通过不同的掺杂方式在同一个硅片上制造而成,并形成了两个...
双向二极管和单向二极管是两种不同类型的半导体器件,它们在电子电路中有着广泛的应用。 工作原理 单向二极管,又称为整流二极管,其工作原理基于PN结的特性。...
双向触发二极管没有正负极之分 。这一结论基于以下几点分析: 一、定义与特性 双向触发二极管,又称SIDAC(Silicon Diode for Alte...
双向触发二极管(Bidirectional Trigger Diode,简称DBD)是一种特殊的二极管,具有双向触发特性。DB3和DB4是两种常见的双向...
双向触发二极管(Bidirectional Trigger Diode,简称BTD)是一种具有双向导通特性的半导体器件,广泛应用于电子电路中,如过压保护...
稳压二极管(Zener Diode)和普通二极管(Standard Diode)虽然都属于二极管的范畴,但它们在工作原理、特性和应用方面存在明显的区别。...
二极管是一种半导体器件,具有单向导电性。它的伏安特性曲线是描述二极管在不同电压下电流变化的图形。根据二极管的工作状态,伏安特性曲线可分为以下几个区: 截...
双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT) 是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件,具有三层结构,由P型半导体、N型...
晶闸管(Thyristor)是一种半导体器件,具有单向导电性,广泛应用于电力电子领域。晶闸管的阻断状态有两种:正向阻断状态和反向阻断状态。以下是对这两种...
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。然而,IGBT在长时间工作过程中,...
双向TVS管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor)是一种用于保护电子设备免受瞬态电压冲击的半导体器件。...
瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种用于保护电子设备免受电压瞬变影响的半导体器件。它能够快速响应...
双向瞬态抑制二极管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种用于保护电子设备免受电压瞬变...
续流二极管作为电子电路中重要的元件之一,其故障可能导致整个电路的性能下降甚至完全失效。本文将深入探讨续流二极管故障的原因,并详细分析这些原因背后的机理,...
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构,其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及掺杂分布等因素。...
PN结的反向击穿是半导体物理学中的一个重要概念,它指的是在PN结处于反向偏置状态时,当外加的反向电压增加到一定程度时,PN结的电流会突然激增,这种现象称...
PN结正向偏置和反向偏置是半导体器件(如二极管、晶体管等)中非常重要的两种工作状态,它们的工作原理基于PN结独特的电学性质。以下将详细阐述PN结正向偏置...
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