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RF SOI是绝缘体上硅(SOI)技术的RF版本,该工艺利用了内置隔离衬底的高电阻率特性。射频SOI(RF-SOI)将延续其在4G应用的技术和市场优势,继续成为5G Sub-6GHz频段手机射频开关的主流解决方案。
RF SOI是绝缘体上硅(SOI)技术的RF版本,该工艺利用了内置隔离衬底的高电阻率特性。
射频SOI(RF-SOI)将延续其在4G应用的技术和市场优势,继续成为5G Sub-6GHz频段手机射频开关的主流解决方案。
RF-SOI在4G手机射频开关应用中占有绝对的市场优势,RF SOI工艺可工作频率很高,Ft/Fmax满足毫米波工作频率3至5倍的要求;RF SOI可以实现器件堆叠(device stacking),从而同时提高了功率与能效比
电子发烧友网报道(文/李宁远)SOI,Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅,在硅晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比...
射频 SOI (RF-SOI)是采用 SOI 工艺技术制作的射频器件和集成电路。SOI是指在体硅材料中插人一层 SiO2绝缘层的耐底结构。在SOI衬底上...
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)5G、人工智能以及能源效率对半导体芯片的需求增长已经是趋势,现时出现的芯片缺货现象也离不开这些新兴应用需求的影响。追溯到芯...
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