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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,资本金为86,969百万日元(2014年3月31日现在),总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的罗姆,于1967年和1969年逐步进入了晶体管、二极管领域和IC等半导体领域。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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RN779FFHT106 | 二极管 - 射频 PIN - 1 对串联 50V 50 mA UMD3 |
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RN142VMTE-17 | 二极管 - 射频 PIN - 单 60V 100 mA UMD2 |
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RN141CMT2R | 二极管 - 射频 PIN - 单 50V 100 mA |
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RJ1P12BBDTLL | 表面贴装型 N 通道 100 V 120A(Tc) 178W(Tc) LPTL |
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RJ1L12BGNTLL | 表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Ta) 192W(Ta) TO-263AB |
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RJ1G08CGNTLL | 表面贴装型 N 通道 40 V 80A(Ta) 78W(Ta) LPTL |
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RHU002N06FRAT106 | 表面贴装型 N 通道 60 V 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3 |
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RH6P040BHTB1 | 表面贴装型 N 通道 100 V 40A(Tc) 59W(Tc) 8-HSMT(3.2x3) |
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RH6L040BGTB1 | 表面贴装型 N 通道 60 V 40A(Ta) 2W(Ta), 59W(Tc) 8-HSMT(3.2x3) |
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RGW80TS65CHRC11 | IGBT 650 V 81 A 214 W 通孔 TO-247N |
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RGW80TK65EGVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 81 W 通孔 TO-3PFM |
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RGW80TK65GVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 81 W 通孔 TO-3PFM |
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RGW60TS65DGC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 178 W 通孔 TO-247N |
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RGW50TS65DGC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 50 A 156 W 通孔 TO-247N |
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RGW50TK65DGVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 67 W 通孔 TO-3PFM |
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RGW50TK65GVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 67 W 通孔 TO-3PFM |
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RGW40TK65DGVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 27 A 61 W 通孔 TO-3PFM |
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RGW40TS65DGC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 136 W 通孔 TO-247N |
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RGW40TK65GVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 27 A 61 W 通孔 TO-3PFM |
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RGW00TS65DHRC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N |
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RGTV80TK65GVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM |
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RGTV80TK65DGVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM |
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RGTV00TK65GVC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM |
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RGTH80TK65DGC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM |
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RGTH80TK65GC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM |
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RGTH00TS65GC13 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247 |
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RGTH50TK65DGC11 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 26 A 59 W 通孔 TO-3PFM |
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RGT30NS65DGC9 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262 |
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RGT20NL65GTL | IGBT 沟槽型场截止 650 V 20 A 106 W 表面贴装型 TO-263AB |
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RGT16NS65DGC9 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 16 A 94 W 通孔 TO-262 |
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