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碳化硅(SiC)是一种具有优异物理特性的半导体材料,其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
SiC产品和Si产品的两点比较 SiC肖特基势垒二极管的特征
我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特...
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。
浅谈第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量
-进入主题之前请您介绍了很多基础内容,下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”,首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础...
200V耐压肖特基势垒二极管:RBxx8BM200/RBxx8NS200
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向电流)的肖特基势垒二极管(SBD),且实现了200V耐压的肖特基势垒二极管的新产品。主要目...
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