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肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。...
近年来,半导体行业最为火热的话题非宽禁带半导体莫属,如碳化硅(SiC)。由于其优越的物理和电气特性,如高能量带隙(eV),高临界击穿场强(MV/cm)和...
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。
200V耐压肖特基势垒二极管:RBxx8BM200/RBxx8NS200
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向电流)的肖特基势垒二极管(SBD),且实现了200V耐压的肖特基势垒二极管的新产品。主要目...
浅谈第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量
-进入主题之前请您介绍了很多基础内容,下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”,首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础...
剖析SiC-MOSFET特征及其与Si-MOSFET的区别 2
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处...
2023-02-06 标签:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1056 0
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