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第三代半导体高速成长GaN功率元件今年产值可望大增9成

2021年6月，富士经济对SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半导体等下一代功率半导体的全球市场进行了调查。功率半导体市场预计到 2030 年将达到 404...

2021-06-23 标签：MOSFET 半导体 IGBT 2246 0

SBD器件中的肖特基二极管漏电流机制

根据《涨知识啦》第32期可知，随着反向偏压的增大，肖特基二极管漏电流的增幅远远超过了耗尽区内空间电荷产生电流的水平，随后，研究人员发现在肖特基势垒二极管...

2021-05-12 标签：二极管 SBD 4463 0

SBD器件中的肖特基二极管漏电流机制 (上)

肖特基势垒二极管 (Schottky barrier diodes, 简称 SBD) 是与PN结二极管有着同样整流接触的功率二极管结构，它是通过金属和半...

2021-04-07 标签：二极管 SBD 2760 0

JBS or MPS：两种结构相似和设计方法完全不同的器件

本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是结势垒肖特基二极管（JBS：Junction Barrier Controlled Schottky Diode）和混...

2020-11-19 标签：二极管 SBD 1.1万 0

肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制的讲解

大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流...

2020-11-19 标签：电流 SBD 2711 0

关于SBD基本的电流输运机制的介绍

2020-11-02 标签：二极管 SBD 885 0

肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制

2020-11-02 标签：电流 SBD 1952 0

VCSEL激光器、SBD肖特基二极管最新研究成果

成果一基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，技术团队深入探索了实现GaN VCSEL横向电流限制的根本原因。研究发现，横向电流限制不是...

2020-03-10 标签：激光器肖特基二极管 SBD 1156 0

200V肖特基势垒二极管在xEV市场迎来替代良机

将电机和外围部件集成于一个模块的“机电一体化”已成为趋势，也对于在高温环境下工作的高耐压、高效率肖特基势垒二极管（SBD）的需求日益高涨。

2019-09-06 标签：二极管 SBD xEV 7223 0

肖特基势垒二极管新品:散热特性提高28％、尺寸缩小39％

松下元器件公司发布了散热特性较该公司原产品提高28％的肖特基势垒二极管（SBD）“DB2P系列”。可用于智能手机、平板终端和笔记本电脑机身电源电路部分。

2012-09-11 标签：松下 SBD 肖特基势垒二极管 1109 0

电信基带单元的系统方框图 (SBD)

具有 TI 无线 SoC 处理器以及时钟和接口解决方案的电信基带单元的系统方框图 (SBD)。

2012-06-13 标签：SBD 电信基带单元 2845 0

罗姆展出沟道型SiC制SBD和MOSFET

罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压...

2011-10-12 标签：MOSFET SBD SiC 1223 0

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驱动电路

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驱动电路丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为“NaFlux法”的结晶成长法制成的GaN底板，试制出

2010-03-04 标签：LED 驱动 SBD 1382 0

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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
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