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标签 > SiC MOSFET
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探讨1,200-V 300-A SiC MOSFET对开关频率的影响
由于快速的开关，传导损耗和击穿电压的增加，在现代工业应用中增加了SiC MOSFET的使用。通过最快速的开关速度和更高的频率赋能，该框架减小了尺寸并提高...
2021-03-19 标签：MOSFET开关频率SiC MOSFET 7595 0
在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？
用+14V左右的稳压管Z1加上Z2管正向导通压降，在开通时候将电压稳定在+15V左右，这样在开关管导通时电容C10上就会有3V压降。
2021-12-06 标签：单电源SiC MOSFET 4887 0
碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同时也带来了新的挑战。ROHM半导体器件使工程师能够充分利用SiC MOSFET，同时克服了驱动...
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 标签：驱动电源自举电路SiC MOSFET 3770 0
高压 SiC MOSFET 由于其单极工作模式，高击穿电压将严重限制器件的导通电流能力。例如对于10 kV 等级器件来说，室温下其电流等级约为 20~4...
2023-02-03 标签：SiCSiC MOSFET 3649 0
过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 （IGBT）。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 标签：ti栅极驱动器SiC MOSFET 3160 0
作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各种拓扑结构中SiC MOSFET的出现大大提高了性能和效率。但是，如果使...
2021-03-11 标签：MOSFETSiC MOSFET 2970 0
如何复制下一代栅极驱动光电耦合器的改进，以驱动和保护SiC MOSFET
为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 标签：光电耦合器栅极驱动器SiC MOSFET 2960 0
随着云计算的概念越来越流行，数据量越来越大，数据中心每天都在改进，最终开始以更快的速度增长。它们已成为最大和最快的能源消耗来源，而 UPS（不间断电源）...
2021-06-14 标签：整流器碳化硅SiC MOSFET 2894 0
类别：电源技术 2018-03-13 标签：SiC MOSFET 1433 0
SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型立即下载
类别：电工论文网 2018-02-01 标签：SiC MOSFET 965 0
类别：模拟数字论文 2023-11-30 标签：直流变换器驱动电路SiC MOSFET 314 0
1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表立即下载
类别：电子资料 2024-01-03 标签：NexperiaSiC MOSFET 204 0
NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南立即下载
类别：电子资料 2023-12-19 标签：SiC MOSFET 179 0
NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明立即下载
类别：电子资料 2023-12-19 标签：SiC MOSFET 162 0
富昌电子SiC设计分享（二）：碳化硅器件驱动设计之寄生导通问题探讨
作者：富昌电子 星空 校稿：富昌电子 萧峰 富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方...
2024年SiC的市场规模将达19.3亿美元，英飞凌扩展SiC MOSFET产品线
根据2019年Yole发布的SiC市场报告，2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元，该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%，也就是说到2024年...
电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，而在高开关频率高功率的应用中，SiC器件优势明显，这就使得SiC MOSFE...
2021-08-13 标签：电荷硅材料SiC MOSFET 7404 0
环境和能源问题是一个重要的全球性问题。同时，随着电力需求持续升高，对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。而在这其中，功率半导体扮演...
2021-08-02 标签：SiC MOSFET 4669 0
Nexperia发布增强型电热模型 罗姆开发8英寸新一代SiC MOSFET
基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真模型，但这些模型通常...
电子发烧友网报道（文/李诚）功率器件从硅基向碳化硅的转型，成为了半导体集成电路领域快速发展的一个缩影，对整个电力电子行业的发展具有重大的影响。 碳化...
2021-11-12 标签：SiC二极管SiC MOSFET基本半导体 4073 0
瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和输出功率的目的
相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件，为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1...
研华DeviceOn/BI通过工业案例审核 罗姆SiC MOSFET发挥性能优势
近日，上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的 “三合一”电桥完成试制。
2022-03-28 标签：研华罗姆SiC MOSFET 3357 0
性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电...
2015-10-14 标签：MOSFETSiC MOSFET 3007 0
新应用不断涌现，这就需要有高压开关技术，而且与硅 IGBT 和 IGCT 技术相比，该技术的系统平衡成本和运行损耗要显著降低。该技术的应用范围非常广，从...
2020-02-24 标签：sic器件硅技术SiC MOSFET 2592 0
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