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为了验证抑制电路的效果，将抑制电路单独安装在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驱动电路上并观察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外观和...
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 标签：SiC驱动电压SiC MOSFET 2179 0
芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品
芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之...
2023-08-16 标签：MOSFET功率器件SiC MOSFET 596 0
Model-Y Drive Unit的主要改进： 不再使用泄放电阻（可能使用电机绕组对母线电容放电）； 使用本地隔离偏置为栅极驱动器电路供电，以降低...
提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件导通压降及电流在线检测电路，设计了兼具结温监测功能的驱动电路，并提出了- -种结温反推方法，提升了结...
通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为单面散热器件、双面散热器件和多面散热器件。
Sic MOSFET的正栅压目前已经于Si IGBT相当(+15V) ,但负栅压仍有很大差别(-5V) ，Sic MOSFET开关速度快引起的EMII问...
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，将迅速增长并主导市场份额，IDTechEx在报告中给出了各类器件的应用时间表。虽然经过验证的SiC MOS...
2023-02-23 标签：电动汽车功率器件SiC MOSFET 1394 0
高压 SiC MOSFET 由于其单极工作模式，高击穿电压将严重限制器件的导通电流能力。例如对于10 kV 等级器件来说，室温下其电流等级约为 20~4...
2023-02-03 标签：SiCSiC MOSFET 3616 0
该方案基于NXP Power架构主控MCU平台，融合了ON隔离预驱芯片及碳化硅功率器件，以及NXP电源管理芯片，可实现汽车功能安全标准ISO26262的...
2022-10-31 标签：逆变器碳化硅SiC MOSFET 727 0
过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 （IGBT）。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 标签：ti栅极驱动器SiC MOSFET 3152 0
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的...
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，...
2022-08-01 标签：英飞凌仿真SiC MOSFET 2249 0
电动汽车 (EV) 以及更普遍的电动汽车的成功在很大程度上取决于为电池充电所需的时间。长期以来被认为是电动汽车的弱点之一，充电时间逐渐减少，快速充电等先...
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSF...
2022-07-06 标签：驱动器引脚SiC MOSFET 1548 1
在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
在本系列的前几篇文章中[1-6]，我们介绍了基于安森美(onsemi)的SiC功率模块和其他功率器件开发的25kW EV快充系统，包括这个可扩展系统的整...
2022-06-27 标签：安森美辅助电源SiC MOSFET 2630 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 标签：驱动电源自举电路SiC MOSFET 3763 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？
用+14V左右的稳压管Z1加上Z2管正向导通压降，在开通时候将电压稳定在+15V左右，这样在开关管导通时电容C10上就会有3V压降。
2021-12-06 标签：单电源SiC MOSFET 4878 0
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