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标签 > SiC二极管
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使用 MPS SiC 二极管可最大限度地降低高频开关模式电源中的损耗
与 Si 相比,Vishay 的 MPS SiC 肖特基二极管具有更高的正向电流额定值、更低的正向压降和更低的反向恢复损耗,所有这些都采用更小的封装和更...
宽禁带(WBG)半导体技术将有望实现新电机能效及外形尺寸基准
国际能源署(IEA)估计,电机功耗占世界总电力的45%以上。因此,找到最大化其运行能效的方法至关重要。能效更高的驱动装置可以更小,并且更靠近电机,从而减...
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热...
电子发烧友网报道(文/李诚)功率器件从硅基向碳化硅的转型,成为了半导体集成电路领域快速发展的一个缩影,对整个电力电子行业的发展具有重大的影响。 碳化...
2021-11-12 标签:SiC二极管SiC MOSFET基本半导体 4021 0
ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案,不仅专注于行业先进的SiC功率元器件,还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。
受宏观经济疲软影响,2012年半导体市场总体呈现了不景气。英飞凌科技电源管理与多元化市场部全球总监Thomas Schmidt表示,2013年的半导...
上能电气+安森美联合实验室揭牌围绕半导体器件应用展开高水平合作
2月22日,上能电气与安森美半导体(onsemi)联合实验室揭牌成立。安森美亚太区高级副总裁David Chow、中国区销售副总裁Roy Chia,上能...
吴强表示,安森美作为全球领先的半导体公司之一,是上能电气长期以来的重要合作伙伴。本次联合实验室的成立,不仅是双方合作迈向新高度的标志,也是双方注重研发、...
SIC二极管电压过低不稳定的调试方法 调试SIC二极管电压过低不稳定的问题需要遵循一定的步骤和方法。本文将详细介绍如何进行这样的调试,并提供一些常见的...
开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vish...
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