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5G性能爆发突破口 RF GaN蓬勃发展

RF GaAs模具市场将从2019年的28亿美元左右增长到2025年的36亿美元以上。这一市场是由5G和Wi-Fi6手机应用需求的增长推动的。

2021-01-04 标签：射频 SiC 氮化镓 1673 0

科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能

科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。

2020-08-31 标签：氮化镓科锐半导体制造 1049 0

罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件

通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。

2020-08-27 标签：驱动器碳化硅罗姆 1131 1

SiC器件市场有望快速增长

由于GaN在高频下具有较高的功率输出和较小的面积，GaN已被射频行业广泛采用。随着5G到来，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基...

2020-08-27 标签：半导体射频 sic器件 2503 0

实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配

为了追求更高的转换效率和功率密度，在工业和新能源汽车等领域，系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅（Si）工艺的IGBT器件。

2020-03-30 标签：CISSOID 电控系统 sic器件 1342 0

SiC器件和封装技术的发展情况分析

众所周知，封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征，如单位面积的导通电阻 (RdsA)，...

2020-03-09 标签：封装技术 sic器件 3692 0

超共源共栅与硅技术和SiC MOSFET技术对比分析

新应用不断涌现，这就需要有高压开关技术，而且与硅 IGBT 和 IGCT 技术相比，该技术的系统平衡成本和运行损耗要显著降低。该技术的应用范围非常广，从...

2020-02-24 标签：sic器件硅技术 SiC MOSFET 2530 0

SiC器件和封装技术的性能特征解析

2020-02-22 标签：封装技术 sic器件 3680 0

SiC FET半导体器件的主要拓扑结构和器件功能解析

随着5G网络的部署，在世界范围内将有大规模的扩建浪潮，并需要许多高质量的电信整流器来提供所需的电力。为了满足提高效率、降低运营成本和降低物料清单成本的需...

2020-02-24 标签：栅极驱动 sic器件 5110 0

SiC二极管浪涌测试

2018-06-20 标签：浪涌电流 sic器件 735 0

SIC器件发展助力新能源汽车产业技术革新

自2011年-2017年，我国新能源汽车市场规模年均复合增长率高达114%。根据中国汽车工业协会数据显示，2017年新能源汽车产销量分别为79.4万辆和...

2018-04-26 标签：新能源汽车 SIC器件 3954 0

SiC器件：以汽车用途为突破口扩大利用

功率器件领域已经进入到Si（硅）、SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）三种半导体材料并用的时代。过去，人们一直利用硅的加工性能良好的特点，借助精雕细琢的...

2015-09-11 标签：SiC器件 GaN器件 1122 0

半导体材料知多少?SiC器件与Si器件性能比较

SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的优势体现在哪些方面？电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。

2012-12-04 标签：半导体材料 SiC器件 Si器件 1.2万 1

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