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标签 > sic器件
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SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的优势体现在哪些方面?电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET,进一步降低应用损耗并提高可靠性
【2022年3月31日,德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下,电力消耗日益增加。与此同时,提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应...
小鹏、比亚迪拥抱800V高压平台,电车普及超快充还在等什么?
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)与遵循摩尔定律持续高速迭代的集成电路不同,电池技术在过去几十年中进展缓慢。因此当前电动汽车要解决续航问题,主要有两个发展方...
众所周知,封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征,如单位面积的导通电阻 (RdsA),...
以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体器件,可在更高温度、更高电压、更高频率环境下正常工作,同时功耗更小,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、...
谈一下之前所说的SiC的器件使用问题,在国内发生了一个案例,笔者做过一番采访和调研之后做了一些整理,涉及三方(车企、零部件厂商和器件厂家),具体可以参考...
新应用不断涌现,这就需要有高压开关技术,而且与硅 IGBT 和 IGCT 技术相比,该技术的系统平衡成本和运行损耗要显著降低。该技术的应用范围非常广,从...
2020-02-24 标签:sic器件硅技术SiC MOSFET 2530 0
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (S...
为了追求更高的转换效率和功率密度,在工业和新能源汽车等领域,系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅(Si)工艺的IGBT器件。
器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高产能、低污染等。
通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
功率器件领域已经进入到Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)三种半导体材料并用的时代。过去,人们一直利用硅的加工性能良好的特点,借助精雕 细琢的...
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