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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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深度了解SiC的晶体结构

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化学计量比组成的晶体，因其内部结构堆积顺序的不同，形成不同的SiC多型体，本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能...

2024-11-14 标签：半导体晶体 SiC 142 0

深度了解SiC材料的物理特性

与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解...

2024-11-14 标签：半导体材料功率器件 110 0

一文详解SiC的晶体缺陷

SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

2024-11-14 标签：晶体 SiC sic器件 88 0

一文详解SiC单晶生长技术

高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长...

2024-11-14 标签：半导体晶体 SiC 91 0

SiC单晶衬底加工技术的工艺流程

SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来...

2024-11-14 标签：SiC 工艺流程加工技术 82 0

SiC外延生长技术的生产过程及注意事项

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简...

2024-11-14 标签：晶圆功率器件 SiC 104 0

基于SiC模块的电动压缩机设计

压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带...

2024-11-14 标签：电动汽车 MOSFET 压缩机 76 0

安森美封装技术进阶，解锁SiC性能上限

随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅（SiC）产业...

2024-11-14 标签：充电器安森美封装技术 87 0

电隔离栅极驱动器的隔离能力评估

电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力...

2024-11-11 标签：半导体安森美 SiC 167 0

电隔离栅极驱动器选型指南

电隔离式（GI）栅极驱动器在优化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、...

2024-11-11 标签：MOSFET 功率放大器安森美 181 0

SiC的离子注入工艺及其注意事项

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

2024-11-09 标签：工艺制造 SiC 159 0

益登科技受邀参加意法半导体工业峰会

意法半导体一年一度的工业峰会于近日在深圳福田香格里拉大酒店举办，工业峰会是意法半导体充分展示工业产品技术和解决方案广度和深度的顶级盛会，今年已经进行到第...

2024-11-06 标签：电动汽车意法半导体 SiC 157 0

如何设计 IGBT 和 SiC FET 驱动电路以防止误触发？

在设计IGBT或SiCFET桥接电路时，门驱动电路的正确设计与选择晶体管同样重要，以确保高可靠性。对环境的关注是可再生能源、智能工业和电动出行等趋势背后...

2024-11-05 标签：IGBT 驱动电路 SiC 131 0

轨道牵引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基势垒二极管（SBD-Embedded）技术，可以...

2024-10-31 标签：MOSFET 嵌入式三菱电机 259 0

碳化硅功率器件在能源转换中的应用

碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、特点以及在能源转换中的...

2024-10-30 标签：功率器件 SiC 碳化硅 114 0

功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 标签：热阻功率器件 SiC 153 0

如何通过高压SiC电池断开开关提升电气系统的可靠性与效率

电气系统的直流母线电压在400伏特或更高，由单相或三相电网电源或能量存储系统(ESS)供电，可以通过固态电路保护提高其可靠性和韧性。在设计高压固态电池断...

2024-10-23 标签：SiC 电气系统电池 173 0

SiC的发展历程和涂层制备方法

SiC的历史可以追溯到1891年，由爱德华·古德里奇·艾奇逊（Edward Goodrich Acheson）在尝试合成人造金刚石的过程中偶然发现。艾奇...

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GaN和SiC功率器件的特性和应用

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高...

2024-10-18 标签：半导体 SiC 氮化镓 398 0

IGBT和SiC封装用的环氧材料

IGBT和SiC功率模块封装用的环氧材料在现代电子器件中起着至关重要的作用。以下是从多个角度对这些环氧材料的详细分析：1.热管理导热性能：环氧树脂需要具...

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