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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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一文了解三菱电机高压SiC芯片技术

三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，是一家在市场上拥有良好业绩记录的SiC器件制造商。本篇带你...

2024-12-18 标签：芯片二极管 MOSFET 364 0

提高SiC晶圆平整度的方法

提高SiC（碳化硅）晶圆平整度是半导体制造中的一个重要环节，以下是一些提高SiC晶圆平整度的方法：一、测量与分析平整度检测：首先，使用高精度的测量...

2024-12-16 标签：SiC 碳化硅晶圆检测 164 0

浮思特|如何通过设计SiC功率模块优化电动汽车电机驱动热管理效率?

提高电机驱动系统的功率密度是提升电动汽车性能的关键。特斯拉已经使用的碳化硅(SiC)功率模块，有可能将功率密度提高一倍。SiC器件具有高温电阻性、低损耗...

2024-12-09 标签：电动汽车 SiC 碳化硅 421 0

SiC功率器件的特点和优势

SiC(碳化硅)功率器件正逐渐成为现代电力电子系统中的重要技术，其相较于传统的硅(Si)器件，特别是在高功率、高效率和高频率应用中的优势日益显现。Wol...

2024-12-05 标签：晶体管功率器件 SiC 251 0

非线性损耗模型：提升SiC变换器性能估算的准确性

由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高电压能力、较低的导通电阻、高温操作的耐受性以及相对于硅更高的功率密度等固有特性，越来越受到电力系统设计师的青...

2024-12-04 标签：MOSFET 变换器 SiC 652 0

三菱电机1200V级SiC MOSFET技术解析

1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为...

2024-12-04 标签：芯片 MOSFET 三菱电机 605 0

GaN可靠性测试新突破：广电计量推出高压性能评估方案

氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，凭借卓越的功率转换效率、超快的开关速度以及出色的耐高温性能，在5G通信、新能源汽车、数据中...

2024-11-28 标签：SiC GaN 可靠性测试 230 0

功率器件在多次循环双脉冲测试中的应用

随着电力电子技术的飞速发展，功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动...

2024-11-26 标签：半导体功率器件 SiC 210 0

一文详解SiC栅极绝缘层加工工艺

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。

2024-11-20 标签：MOSFET SiC 加工工艺 384 0

理想的太阳能光伏逆变器如何造？

全球能源行业正处在一场持续而深刻的变革之中——即从化石燃料能源，向可再生能源的转变。这个过程尽管曲折，但是对于大趋势大家早已有了共识，加之近年来智能电网...

2024-11-20 标签：太阳能逆变器 SiC 735 0

深度了解SiC的晶体结构

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化学计量比组成的晶体，因其内部结构堆积顺序的不同，形成不同的SiC多型体，本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能...

2024-11-14 标签：半导体晶体 SiC 514 0

深度了解SiC材料的物理特性

与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解...

2024-11-14 标签：半导体材料功率器件 564 0

一文详解SiC的晶体缺陷

SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

2024-11-14 标签：晶体 SiC sic器件 481 0

一文详解SiC单晶生长技术

高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长...

2024-11-14 标签：半导体晶体 SiC 335 0

SiC单晶衬底加工技术的工艺流程

SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来...

2024-11-14 标签：SiC 工艺流程加工技术 312 0

SiC外延生长技术的生产过程及注意事项

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简...

2024-11-14 标签：晶圆功率器件 SiC 323 0

基于SiC模块的电动压缩机设计

压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带...

2024-11-14 标签：电动汽车 MOSFET 压缩机 208 0

安森美封装技术进阶，解锁SiC性能上限

随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅（SiC）产业...

2024-11-14 标签：充电器安森美封装技术 195 0

电隔离栅极驱动器的隔离能力评估

电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力...

2024-11-11 标签：半导体安森美 SiC 369 0

电隔离栅极驱动器选型指南

电隔离式（GI）栅极驱动器在优化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、...

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