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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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功率模块铜线键合工艺参数优化设计方案

为了提高功率模块铜线键合性能，采用6因素5水平的正交试验方法，结合BP（Back Propaga‐tion）神经网络与遗传算法，提出了一种铜线键合工艺参...

2024-01-03 标签：SiC 功率模块键合 743 0

聊聊SiC在电动汽车上的应用

上期EV焦点栏目我们聊了聊电动汽车为什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的关系。今天这期，我们相对放大一下，聊聊SiC在电动汽车上的应用。

2024-01-02 标签：电动汽车 MOSFET 电池充电 1042 0

基于SiC功率模块的高效逆变器设计

关键技术-SiC门驱动回路/电容器通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感

2024-01-02 标签：电容器逆变器 SiC 321 0

碳化硅助力实现PFC技术的变革

碳化硅（SiC）功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来，汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅（SiC）应用的增长，也...

2024-01-02 标签：IGBT 晶体管 PFC 1126 0

如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围

作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美编辑功耗密集型应用的设计人员需要更小、更轻、更节能的电源转换器，能够在更高电压和温度下工作。在电动...

2024-01-01 标签：MOSFET 大功率电源转换器 676 0

使用Cauer网络仿真热行为与对开关损耗影响的评估

过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件...

2023-12-29 标签：安森美 SiC 热仿真 1747 0

如何实现一种7.5kW电动汽车碳化硅逆变器的设计呢？

第三代功率半导体碳化硅SiC具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点，能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 标签：电动汽车逆变器散热器 1873 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生长、特性、应用）、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 标签：SEM SiC TEM 2738 0

碳化硅功率器件的优势、应用及发展

随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理特性，如高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等，在功率器件领域展...

2023-12-28 标签：半导体功率器件 SiC 515 0

碳化硅器件封装技术解析

碳化硅（ SiC ）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 标签：电力系统封装技术 SiC 2170 0

物理气相传输法生长SiC晶圆中的缺陷和测试

和Si晶体拉晶工艺类似，PVT法制备SiC单晶和切片形成晶圆过程中也会引入多种缺陷。这些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能级的点缺陷；位错；堆垛层错；以及...

2023-12-26 标签：半导体晶圆 SiC 2975 0

碳化硅功率器件的工作原理和优势

　　随着科技的飞速发展，电力电子技术在各种领域中发挥着越来越重要的作用，从电动汽车到数据中心，再到可再生能源系统，其应用范围不断扩大。在这一领域，碳化硅...

2023-12-26 标签：半导体功率器件 SiC 590 0

门极驱动器的重要性

一个良好的功率电路不仅由静态器件如SiC和GaN MOSFETs组成，还包含了门极驱动器。这是一个独立的元素，位于电子开关之前，确保以最佳方式为其提供驱...

2023-12-24 标签：SiC 开关器件门极驱动器 810 0

碳化硅离子注入和退火工艺介绍

统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工...

2023-12-22 标签：半导体功率器件 SiC 3000 0

SiC MOSFET中的交流应力退化

本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面，涉及由于应用交流栅极偏置应力（也称为栅极开关应力）导致的阈值电压 (VT) 退化及其影响沟槽几何器...

2023-12-22 标签：MOSFET 半导体 SiC 904 0

碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景

随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高导...

2023-12-21 标签：半导体功率器件 SiC 866 0

8英寸SiC晶体生长热场的设计与优化

碳化硅（SiC）材料被认为已经彻底改变了电力电子行业。其宽带隙、高温稳定性和高导热性等特性将为SiC基功率器件带来一系列优势。近年来，随着新能源汽车企业...

2023-12-20 标签：半导体功率器件 SiC 2336 0

SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。

2023-12-20 标签：MOSFET 电磁干扰 SiC 4387 2

碳化硅功率器件的技术、应用与发展简析

碳化硅（SiC）是一种具有优异物理特性的半导体材料，其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。

2023-12-19 标签：二极管 MOSFET SBD 745 0

SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiCMOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特...

2023-12-16 标签：MOSFET 电机驱动 IGBT 636 0

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无线供电，是一种方便安全的新技术，无需任何物理上的连接，电能可以近距离无接触地传输给负载。实际上近距离的无线供电技术早在一百多年前就已经出现，而我们现在生活中的很多小东西，都已经在使用无线供电。
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DC/DC表示的是将某一电压等级的直流电源变换其他电压等级直流电源的装置。DC/DC按电压等级变换关系分升压电源和降压电源两类，按输入输出关系分隔离电源和无隔离电源两类。例如车载直流电源上接的DC/DC变换器是把高压的直流电变换为低压的直流电。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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