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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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物理气相传输法生长SiC晶圆中的缺陷和测试

和Si晶体拉晶工艺类似，PVT法制备SiC单晶和切片形成晶圆过程中也会引入多种缺陷。这些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能级的点缺陷；位错；堆垛层错；以及...

2023-12-26 标签：半导体晶圆 SiC 2775 0

碳化硅功率器件的工作原理和优势

　　随着科技的飞速发展，电力电子技术在各种领域中发挥着越来越重要的作用，从电动汽车到数据中心，再到可再生能源系统，其应用范围不断扩大。在这一领域，碳化硅...

2023-12-26 标签：半导体功率器件 SiC 563 0

门极驱动器的重要性

一个良好的功率电路不仅由静态器件如SiC和GaN MOSFETs组成，还包含了门极驱动器。这是一个独立的元素，位于电子开关之前，确保以最佳方式为其提供驱...

2023-12-24 标签：SiC 开关器件门极驱动器 755 0

碳化硅离子注入和退火工艺介绍

统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工...

2023-12-22 标签：半导体功率器件 SiC 2780 0

SiC MOSFET中的交流应力退化

本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面，涉及由于应用交流栅极偏置应力（也称为栅极开关应力）导致的阈值电压 (VT) 退化及其影响沟槽几何器...

2023-12-22 标签：MOSFET 半导体 SiC 827 0

碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景

随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高导...

2023-12-21 标签：半导体功率器件 SiC 784 0

8英寸SiC晶体生长热场的设计与优化

碳化硅（SiC）材料被认为已经彻底改变了电力电子行业。其宽带隙、高温稳定性和高导热性等特性将为SiC基功率器件带来一系列优势。近年来，随着新能源汽车企业...

2023-12-20 标签：半导体功率器件 SiC 2156 0

SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。

2023-12-20 标签：MOSFET 电磁干扰 SiC 4118 2

碳化硅功率器件的技术、应用与发展简析

碳化硅（SiC）是一种具有优异物理特性的半导体材料，其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。

2023-12-19 标签：二极管 MOSFET SBD 698 0

SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiCMOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特...

2023-12-16 标签：MOSFET 电机驱动 IGBT 610 0

隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）

报告内容包含：效率和功率密度推动变革基本的 MOSFET 栅极驱动器功能驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）驱动器进化以支持 ...

2023-12-18 标签：MOSFET IGBT SiC 510 0

碳化硅外延设备技术研究

与传统半导体材料硅、锗相比，第三代半导体材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、高温稳定性好以及...

2023-12-18 标签：半导体半导体材料 SiC 2297 0

SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析（上）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。

2023-12-18 标签：MOSFET emc 电磁干扰 4186 1

SiC功率器件中的失效机制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二极管正在快速应用于电力电子转换半导体 (PECS) 应用，例如电动汽车充电和牵引、储能系统和工业电源。SiC 功率...

2023-12-15 标签：MOSFET 半导体肖特基二极管 4106 0

Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究

摘要：针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法，并提供了具体的估算公式。以30k...

2023-12-14 标签：变换器 IGBT Boost 1628 0

SiC功率器件辐照效应研究进展概述

随着微电子技术日新月异的发展，作为传统半导体材料的硅（Si）与砷化镓（GaAs）在半导体器件中表现出的电学性能已逐渐接近其理论极限。

2023-12-13 标签：新能源汽车 MOSFET 功率器件 4076 0

使用碳化硅SiC进行双向充电机OBC设计

电动汽车车载充电机（On Board Charger，OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从微型电动汽车应用中的2KW，到高端电动汽车中...

2023-12-13 标签：电动汽车 SiC 碳化硅 1377 0

浅谈SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：shor...

2023-12-13 标签：芯片 MOSFET IGBT 3123 0

碳化硅功率器件的优势、应用领域及未来趋势

随着科技的不断进步，电力电子设备在各种领域中的应用越来越广泛。然而，传统的硅基功率器件已逐渐达到其性能极限。为了满足不断增长的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 标签：功率器件 SiC 碳化硅 670 0

碳化硅的5大优势

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。

2023-12-12 标签：MOSFET 电源转换器肖特基二极管 1659 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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