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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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碳化硅的优势和难处

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更宽的禁带宽度，使其能够承受更大的电流和电压，同时实现更小尺寸的产品设计和更高的效率。

2023-12-11 标签：功率器件 SiC 碳化硅 3143 0

为什么SiC在功率应用中战胜了Si？

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物，属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。

2023-12-11 标签：半导体 IGBT SiC 839 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的优点和应用

碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化...

2023-12-08 标签：半导体 SiC 碳化硅 1634 0

芯动半导体和博世汽车电子签署长期订单合作协议

功率半导体元件在新能源汽车中扮演关键角色，占据电机控制器价值量的30%-50%。因此，功率半导体元件的成本、性能和供货能力对于车企在市场竞争中取得成功至关重要。

2023-12-08 标签：电机控制器 SiC 功率半导体 2103 0

碳化硅MOSFET在数据中心能源管理中的应用

数据中心通常依靠高频功率转换来有效地分配和管理电力，而SiC MOSFET具有低开关损耗和快速开关速度，可实现高频操作。

2023-12-06 标签：MOSFET 电源转换器不间断电源 899 0

新型电力系统面临的发展要求和挑战

高比例新能源的技术挑战在于抗扰性弱，暂态电压失稳，惯量缺失。新能源渗透率提高，电网强度下降，暂态稳定性问题更加凸显。Grid Forming构网技术是解...

2023-12-06 标签：电力系统 IGBT 功率器件 1020 0

碳化硅(SiC)功率器件的优势和应用领域

随着科技的不断进步，电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而，随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展，传统...

2023-12-06 标签：半导体功率器件 SiC 1479 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的热管理对于防止SiC MOSFET失效有很大的关系，环境过热会降低设备的电气特性并导致过早失效，充分散热、正确放置导热垫以及确保充足的气流对于 M...

2023-12-05 标签：MOSFET SiC 热管理 644 0

碳化硅技术的挑战与应用

碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造电动汽车（EV）、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。与IGBT和MOSFET等传统...

2023-12-05 标签：MOSFET 半导体功率器件 774 0

碳化硅功率器件在储能领域的应用示例

碳化硅功率器件目前被广泛用于电源、用于电池充电和牵引驱动的电池电动汽车（BEV）电源转换、工业电机驱动以及太阳能和风力发电逆变器等可再生能源发电系统等应...

2023-12-03 标签：太阳能功率器件 SiC 859 0

碳化硅的超强性能

电力半导体的进步并不完全取决于节点尺寸的减小。硅电力开关，如MOSFETs和IGBTs，被设计用来处理12V到+3.3kV的电压和数百安培的电流。这些开...

2023-12-02 标签：IGBT SiC MOSEET 354 0

SiCMOSFET和IGBT在短路时的对比

基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效...

2023-12-01 标签：MOSFET FOM SiC 568 0

金升阳IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源产品优势

基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IG...

2023-12-01 标签：MOSFET IGBT SiC 724 0

充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案可用隔离驱动BTD25350

国芯思辰，国产芯片替代

2023-11-30 标签：SiC 充电桩 534 0

什么是外延工艺？什么是单晶与多晶？哪些地方会涉及到外延工艺？

外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。

2023-11-30 标签：半导体功率器件 SiC 3218 0

与MOS不同，IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点？

其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致Vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。

2023-11-29 标签：IGBT MOS PN结 1090 0

碳化硅功率半导体在新能源汽车的应用机遇

电动化成为汽车产业发展的潮流和趋势，对高速充电的需求持续提升，而硅的温度、频率、功率等性能难以提高，因此具备高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半导...

2023-11-29 标签：新能源汽车驱动系统半导体材料 417 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。这是因为，为了应对全球共通的“节...

2023-11-29 标签：导通电阻半导体材料 SiC 779 0

如何正确理解功率器件的FoM？

在电源应用中，哪怕已经确定拓扑结构、频率和负载范围等需求，工程师短时间内也很难判断哪一种开关技术最好……“品质因数”（Figure of Merit, ...

2023-11-28 标签：MOSFET FOM 功率器件 6703 0

碳化硅器件介绍与仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。

2023-11-27 标签：二极管半导体仿真 1614 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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