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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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车规级功率模块封装的现状，SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法

2023-10-27 标签：MOSFET 封装技术 SiC 1154 0

茂睿芯MD18011X单通道隔离型栅极驱动器简介

MD18011X，光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器系列，是茂睿芯功率驱动产品推出的新型产品系列，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统。它...

2023-10-26 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 919 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未来

SiC 技术的先驱引领系统效率，高度关注可靠性和耐用性。近 20 年来， GeneSiC 开创了高性能，坚固，和可靠的碳化硅（SiC）用于汽车、...

2023-10-25 标签：二极管驱动器功率器件 1758 0

混合器件的原理及应用

今天想抽出点时间来聊一下复合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚这个中文名字应该叫什么，文献里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 标签：MOSFET IGBT SiC 1026 0

碳化硅SiC在新能源汽车中的应用分析

SiC器件的主要用途是车载设备。SiC器件可以使纯电动汽车、混合动力车的电机控制系统损失的功率降低到1/10，实现低功耗化；同时，能将新能源汽车的效率提...

2023-10-25 标签：新能源汽车 MOSFET 功率器件 1120 0

不同功率的充电桩设计方案总结

电动汽车充电桩作为电动汽车的能量补给装置，充电时间和寿命是关系到其性能的最关键因素。这就对充电桩的充电效率提出了要求。本文针对两电平15KW SIC充电...

2023-10-24 标签：电动汽车 MOSFET 逆变电路 2334 0

提高SiC功率模块的功率循环能力

在商业应用中利用宽带隙碳化硅（SiC）的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术，Vincotech 处于领先地位。...

2023-10-23 标签：机械 SiC 功率模块 1009 0

如何设计一种适用于SiC FET的PCB呢？

SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。

2023-10-19 标签：MOSFET JFET DC-DC转换器 324 0

半导体激光器的热耗散功率详解

半导体激光器的热状态和工作方式有关，一般有三种工作方式。

2023-10-18 标签：半导体激光器功率 1549 0

SiC功率器件的优势和应用前景

随着新能源汽车销量暴涨的东风，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。碳化硅的优越性能使其在更多尖端领...

2023-10-18 标签：功率器件 SiC 碳化硅 904 0

竞争筹码几何？GaN和SiC是共存还是替代呢？

如今，追求功率密度和效率是当今众多行业创新的最大动力，包括数据中心、可再生能源、消费电子产品、电动汽车和自动驾驶汽车等。

2023-10-17 标签：电动汽车 SiC GaN 257 0

一文读懂碳化硅设计中的热管理

随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动...

2023-10-16 标签：MOSFET 逆变器 SiC 345 0

不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍

　除牵引逆变器外，辅助转换器、铁路电池充电器和DC-DC转换器尤其受益于SiC功率模块带来的开关频率提升。开关频率的增加通常允许减小无源元件（如变压器、...

2023-10-15 标签：变压器 MOSFET 三菱电机 1087 0

驻波效应是什么？如何产生的？有什么危害？如何抑制驻波效应？

驻波效应，在先进光刻制程中一个不可忽视的现象，能引发一系列的光刻质量问题，以至于严重影响着图案的精度。

2023-10-13 标签：SiC 碳化硅 8053 0

Bourns SiC SBD产品系列已经扩展到十个额外型号

额外的650和1200V SiC SBD型号满足当今交通、可再生能源和工业系统的功率密度要求。 Bourns宣布，它在现有的碳化硅(SiC)肖特基势垒二...

2023-10-13 标签：二极管 SiC Bourns 1209 0

基于长线列红外焦平面探测器冷箱组件开展焦面热应力变形研究

随着红外焦平面探测器阵列规模的不断扩大，由多层结构低温热失配形变导致的杜瓦可靠性问题愈发突出，对焦面低温形变的定量化表征需求越来越迫切。

2023-10-13 标签：CCD 仿真器 SiC 1429 0

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有...

2023-10-12 标签：SiC 氮化镓电子开关 2325 1

车规模块系列：赛米控SKiN技术介绍

芯片互连技术包括两大类，有绑定线和无绑定线两大类。其中，有绑定线的，我们再熟悉不过了，也是技术最为成熟的一类

2023-10-10 标签：散热器 IGBT SiC 1640 0

SiC器件如何颠覆不间断电源设计?

不间断电源 (UPS) 和其他基于电池的储能系统可以确保住宅、电信设施、数据中心、工业设备、医疗设备和其他关键设备的持续供电。凭借先进的半导体技术，这些...

2023-10-10 标签：UPS 安森美不间断电源 1032 0

宽禁带半导体的核心材料碳化硅衬底到底贵在哪里？

碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。

2023-10-09 标签：电动汽车功率器件 SiC 869 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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