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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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碳化硅生产难点是什么

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2024-10-16 标签：集成电路半导体 SiC 245 0

SiC MOSFET模块封装技术及驱动设计

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特...

2024-10-16 标签：MOSFET 半导体封装技术 457 0

基于多堆叠直接键合铜单元的功率模块封装方法

摘要：碳化硅(SiC)功率模块在电动汽车驱动系统中起着至关重要的作用。为了提高功率模块的性能、减小体积、提高生产效率，本文提出了一种基于多堆叠直接键合铜...

2024-10-16 标签：封装 SiC 功率模块 398 0

SiC功率器件中的沟槽结构测量

汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率...

2024-10-16 标签：MOSFET 功率器件 SiC 222 0

SiC MOSFET沟道迁移率提升工艺介绍

过去三十年，碳化硅功率半导体行业取得了长足的进步，但在降低缺陷方面依然面临着重大挑战。其主要问题是——碳化硅与栅氧化层之间的界面处存在着大量的缺陷。在N...

2024-10-16 标签：MOSFET 半导体晶圆 438 0

Microchip的SiC解决方案解析

在电子交通、可再生能源和数据中心等具有重大创新的行业的推动下，对功率器件的需求不断增加。当今的功率应用具有持续更严格的要求，最重要的是与实现更高的效率（...

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提高开关电源效率的方法

提高开关电源效率是一个复杂但至关重要的任务，它直接影响到电源系统的性能、稳定性和能耗。开关电源的效率通常定义为输出功率与输入功率之比，高效率意味着更少的...

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如何检测SiC IGBT模块失效芯片

当前，在国际节能环保的大趋势下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域迅速发展，加上我国经济快速腾飞，能源需求量大幅上升，在这样...

2024-10-08 标签：芯片封装 IGBT 308 0

WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱...

2024-09-27 标签：驱动器 SiC GaN 732 0

SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题

电动汽车中可能用到SiC MOSFET的主要汽车电子零部件包括车载充电机、车载DCDC变换器以及主驱逆变器等高压高功率电力电子转换器。

2024-09-29 标签：电动汽车 MOSFET SiC 215 0

三相全桥SiC MOSFET模块，为车载空调压缩机提供创新解决方案

1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构，以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能，展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势...

2024-09-18 标签：MOSFET 压缩机 SiC 236 0

碳化硅功率器件的工作原理和应用

碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 415 0

碳化硅功率器件的优势和应用领域

在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 507 0

皮秒激光器优化碳化硅划刻

在切割脆性 SiC 晶片时，必须减少或完全消除机械锯切的边缘崩裂现象。单晶切割还应将材料的机械变化降至最低。同时还应优先考虑最大限度地减小切口宽度，以限...

2024-09-11 标签：激光器 SiC 碳化硅 1173 0

PiN二极管和SiC二极管的区别

PiN二极管（P-I-N Diode）和SiC二极管（Silicon Carbide Diode）在多个方面存在显著差异，这些差异主要体现在材料特性、工...

2024-09-10 标签：二极管半导体 SiC 294 0

SiC MOSFET和SiC SBD的区别

SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们...

2024-09-10 标签：MOSFET 功率器件 SiC 840 0

什么是SiC功率器件？它有哪些应用？

SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材料的重要应用之一。SiC以其优异...

2024-09-10 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1107 0

SiC二极管的工作原理和结构

SiC二极管，即碳化硅二极管，作为第三代半导体材料的重要应用之一，其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管的工作原理和...

2024-09-10 标签：二极管半导体 SiC 671 0

SiC二极管在大功率电源上的应用

SiC（碳化硅）二极管在大功率电源上的应用，正逐渐成为电力电子领域的一项重要技术革新。其凭借高能效、高功率密度、高温稳定性以及优越的电气特性，在多个大功...

2024-09-10 标签：二极管 SiC 碳化硅 257 0

SiC二极管概述和技术参数

SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应...

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