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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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AC/DC拓扑：SpeedFit示例

SpeedFit 2.0 允许用户模拟 AC/DC 应用的六种不同的单相拓扑。这些拓扑为有源单相升压模式电路，用于功率因数校正（PFC）应用。PFC 的...

2023-05-20 标签：电源二极管 SiC 762 0

使用碳化硅进行双向车载充电机设计

电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统...

2023-05-20 标签：电动汽车电动机 SiC 1921 0

SiC模块开启电机驱动器更高功率密度

牵引驱动器是电动汽车（EV）几乎所有能量的消耗源。因此，驱动系统必须尽可能提高效率，同时以最低重量占用最小空间 — 这些均旨在尽可能提高电动汽车的续航能力。

2023-05-19 标签：电动汽车驱动器 IGBT 1066 0

SiC赋能更为智能的半导体制造/工艺电源

半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。

2023-05-19 标签：功率转换器 SiC 半导体器件 714 0

碳化硅技术助力绿色环保替代方案进入良性循环

大幅提高可再生能源（尤其是太阳能和风能）的投资回报率（ROI），意味着需要提升储能系统（ESS）的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不断增长的电动汽车...

2023-05-19 标签：太阳能 SiC 可再生能源 987 0

优化汽车应用的驾驶循环仿真

Wolfspeed EAB450M12XM3 是一款车规级 SiC 功率模块，已针对牵引逆变器市场进行了优化。这款功率模块具备很多优点，但设计人员还是要...

2023-05-19 标签：逆变器电机 SiC 1213 0

SpeedVal Kit平台采用模块化方法简化评估

新一代功率半导体将以碳化硅（SiC）技术为推动力，服务于快速增长的纯电动汽车（BEV）市场和充电基础设施，满足日益提高的能效标准要求，并满足工业和可再生...

2023-05-19 标签：电动汽车半导体 SiC 285 0

SpeedVal Kit生态系统简化碳化硅部件评估过程并缩短设计时间

新一代功率半导体的高功率应用正在越来越多地使用碳化硅 (SiC) 部件，来满足电动汽车 (EV)、数据中心、工业和可再生能源领域对更高功率密度、更高效率...

2023-05-19 标签：电动汽车半导体 SiC 479 0

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 满足大功率应用需求

碳化硅（SiC）技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统，SiC MOSFET 就能为许多行业的许多不同应用提供高效率，包括那些必须在恶劣环境...

2023-05-19 标签：二极管 MOSFET SiC 750 0

SiC助力轨道交通驶向“碳达峰”

本文我们将重点介绍第三代半导体中的碳化硅（SiC），与下文氮化镓（GaN）的形式统一如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标，并为大家推荐贸泽电子在售的领先的...

2023-05-19 标签：半导体 SiC GaN 848 0

为什么矿机电源对效率和可靠性要求越来越高

作为半导体材料，SiC具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，这便给SiC器件带来了诸多特征参数方面的提升，比如更低的开关损耗和导...

2023-05-19 标签：电源半导体 SiC 1369 0

杀入新能源汽车市场的GaN，胜算几何

SiC的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍。相同电气参数产品，采用SiC材料可缩小体积50%，降低能量损耗80%。同样，G...

2023-05-19 标签：MOSFET SiC GaN 887 0

半导体工艺之气相外延介绍

在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。

2023-05-19 标签：半导体 SiC 电源系统 3446 0

MOS_DS电压尖峰产生的原因

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。

2023-05-19 标签：MOSFET MOS管 SiC 6043 0

连续纤维增强陶瓷基复合材料研究与应用进展

连续纤维增强陶瓷基复合材料(以下简称陶瓷基复合材料)发明于20世纪70年代，历经近40年的发展，陶瓷基复合材料已成为战略性尖端材料，许多国外机构已具备了...

2023-05-18 标签：纤维 SiC 复合材料 2848 0

如何化解第三代半导体的应用痛点

所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝...

2023-05-18 标签：半导体 SiC GaN 1300 0

如何提高系统功率密度

在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷...

2023-05-18 标签：功率器件 SiC GaN 1141 0

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

2023-05-18 标签：电阻 MOSFET 晶体管 353 0

SiC碳化硅单晶的生长原理

碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材...

2023-05-18 标签：半导体射频单晶 2710 0

第三代半导体器件的机会在哪里

与第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特...

2023-05-18 标签：半导体 SiC GaN 743 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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