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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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激光与碳化硅相互作用的机理及应用

本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片...

2023-05-17 标签：半导体激光晶圆 1931 0

聚焦器件可靠性、栅极驱动器创新和总体系统解决方案

碳化硅 (SiC) 技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC 解决方案并不是硅基解决方案的直接替代...

2023-05-17 标签：驱动器 SiC 碳化硅 393 0

微电网 - 脱离公共电网的高效选择

我们中许多拥有电动汽车的人不得不考虑充电问题 — 重点在于节约能源，所以微电网从当地可再生能源中获取电能绝对符合时代精神。电动车电池是一种大型充电负载，...

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基于国产单晶衬底的150mm 4H-SiC同质外延技术进展

本文研究了一种用于5G通信的射频微系统与天线一体化三维扇出型集成封装技术. 通过在玻璃晶圆上使用双面布线工艺，实现毫米波天线阵列的制作. 将TSV转接...

2023-05-14 标签：MOSFET 半导体天线 755 0

SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势

SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公...

2023-05-12 标签：MOSFET 封装功率器件 1937 0

基于SIC功率模块的200kW车载逆变控制器介绍

在电动汽车驱动控制器中，逆变控制器是实现能量交直流转化的关键部件，用于电机的驱动或制动时的能量回收或是提供交流电源。市场对于逆变控制器的能量传输效率、功...

2023-05-11 标签：电动汽车控制器晶体管 1916 0

半导体制造装置之SiC涂层石墨基座介绍

SiC涂层的制备方法主要有凝胶-溶胶法、包埋法、刷涂法、等离子喷涂法、化学气相反应法(CVR)和化学气相沉积法(CVD)。

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小心弯曲：为什么不应通过元件脚端弯曲来走捷径

许多电力工程师都知道如何使用其手工原型获得可行的成果，但在生产环境中，我们需要更好地控制脚端弯曲。否则，可能会引起数不尽的问题。本博客文章讨论了获得可靠...

2023-05-10 标签：电路板封装元件 427 0

碳化硅功率器件及应用

碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作...

2023-05-10 标签：半导体功率器件 SiC 2034 0

相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？

随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 标签：电动汽车安森美 IGBT 8577 0

简述碳化硅衬底类型及应用

碳化硅衬底产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。

2023-05-09 标签：SiC 碳化硅 4808 0

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法

SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 标签：MOSFET 栅极 SiC 989 0

碳化硅（SiC）技术取代旧的硅FET和IGBT

所有类型的电动汽车（EV）的高功率、高电压要求，包括电动公交车和其他电子交通电源系统，需要更高的碳化硅（SiC）技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全高...

2023-05-06 标签：电动汽车 IGBT SiC 2451 0

什么是宽禁带半导体？

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...

2023-05-05 标签：SiC 氮化镓 GaN 1.0万 0

功率器件封装结构散热设计原则

针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究，一些结构设...

2023-05-04 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1508 0

浅谈高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

高压SiC MOSFET的结构和技术存在着几个重要瓶颈：1）器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加，其他结构（沟道、JFET区等）的存在进一步提高了总导通电阻。

2023-05-04 标签：二极管 MOSFET 导通电阻 2483 0

SiC MOSFET：是平面栅还是沟槽栅？

沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET...

2023-04-27 标签：电阻 MOSFET SiC 5482 0

陶瓷封装工艺介绍

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2023-04-27 标签：cps SiC PGA封装 8507 0

SiC半导体如何成为比旧有技术更具成本竞争力的解决方案

随着电动汽车、可再生能源和 5G 等领域的创新步伐不断加快，为满足消费者和行业的需求，越来越多的工程师也在寻求全新解决方案，并对技术提出了更高的要求。

2023-04-27 标签：半导体 IGBT FET 591 0

APEX微技术发布碳化硅SiC半桥集成电源模块：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。

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