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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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什么是GaN氮化镓？Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主...

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高电压平台和SiC碳化硅功率开关的核心

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2023-04-25 标签：电动车功率开关 SiC 404 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

该团队开发了一个生长3C-SiC的液相TSSG长晶设备，其生长过程是这样的：首先，在高温石墨坩埚区域中溶解C粉；然后在对流作用下，将C粉从高温区输送到低...

2023-04-24 标签：功率器件 SiC 碳化硅 4941 0

SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展

与 Si 器件相比， SiC 器件具有更加优异的电气性能，新特性给其结温评估带来了新挑战，许多适用于 Si 器件的结温评估方法可能不再适用于 Si...

2023-04-15 标签：MOSFET 半导体功率器件 3330 0

氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料

氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。

2023-04-14 标签：肖特基二极管 SiC GaN 560 0

SiC在UPS中的应用优势

我们聊了关于UPS的概念和分类，以及在线式UPS的三个工作模式。第三代宽禁带半导体WBG的诞生和发展，让很多使用Si基半导体器件的行业得到提升，今天我们...

2023-04-14 标签：半导体 UPS 数据中心 1086 0

碳化硅SIC MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点

碳化硅MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。

2023-04-12 标签：变压器 MOSFET IGBT 4470 0

碳化硅相对于硅的特性和优势有哪些

未来几年将看到电子设备和逻辑板的飞跃式增长。但作为电子产品和半导体渗透到新的行业和产品，设计师和制造商一直在寻找更好、更智能的制造方式这些重要组成部分。

2023-04-11 标签：MOSFET 电感器 IGBT 1959 0

安森美碳化硅芯片的设计进展及技术分析

减小了电场集中效应，提高了SiC器件的击穿电压，SiC MOSFET的击穿电压和具体的每一个开关单元有关，同时和耐压环也有很大的关系。

2023-04-07 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1102 0

基于氮化镓器件的集成化技术详解

通过凹槽切断栅极下方的2DEG，使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。

2023-04-07 标签：SiC 氮化镓 GaN 348 0

揭秘碳化硅芯片的设计和制造

众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个...

2023-04-06 标签：芯片 MOSFET SiC 1609 0

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法

SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-04-06 标签：MOSFET IGBT 等效电路 1083 0

电力电子器件的概念及分类

电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。广义上电力电子器件可分为...

2023-04-04 标签：电力电子器件驱动电路 SiC 6973 0

用于碳化硅的Aehr测试系统的技术差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自动化测试设备。许多其他事情中，ATE工具取出探针卡，将它们与晶圆上的芯片完美对齐，并与晶圆上的电路进行物...

2023-04-04 标签：SiC GaN 半导体制造 1226 0

Si3N4为何要用AMB工艺？AMB Si3N4的生产流程介绍

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。

2023-04-01 标签：电动汽车 SiC DBC 6248 0

沟槽结构SiC MOSFET常见的类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。

2023-04-01 标签：MOSFET JFET SiC 1874 0

用于高功率密度应用的碳化硅功率器件

交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。

2023-03-30 标签：转换器 MOSFET SiC 1157 0

SiC和GaN的共源共栅解决方案

GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备，其中许多每天运行数小时，因此节省的能源将是巨大的。

2023-03-29 标签：电动汽车 led 逆变器 484 0

脉冲测试一定要做探头的延时校准

双脉冲试验的主要目的是获得功率半导体的开关特性，可以说是伴随着从R&D到应用功率器件的整个生命周期。基于双脉冲试验获得的设备开关波形可以做很多事...

2023-03-28 标签：示波器延时 SiC 1521 0

IGBT和SiC这两者的存在意义

近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。

2023-03-28 标签：IGBT SiC 氮化镓 2689 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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