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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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如何确保SiC验证测试准确度？

SiC正在应用于功率更高、电压更高的设计中，如电动汽车(EV)电机驱动器、电动汽车快速充电桩、车载及非车载充电器、风能及太阳能逆变器及工控电源。

2023-03-27 标签：传感器测试示波器 1475 0

有趣的材料—无处不在的碳化硅

电子器件的使用环境逐渐恶劣，航空航天、石油探测领域前景广阔，在热导率、击穿场等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的第三代半导体材...

2023-03-24 标签：电子器件 SiC 碳化硅 1548 0

扩展到900V的氮化镓产品满足汽车、家电及工业类应用需求

日前，Power Integrations（PI）举办新品媒体线上沟通会，公司资深技术培训经理Jason Yan介绍了在美国APEC展（国际电力电子应用...

2023-03-24 标签：功率开关 PD SiC 899 0

三相三电平PFC电路中SiC二极管的选择

母线电容过压时，软件及时判断并进行关脉冲处理，除此之外，母线电容上还需要并联TVS，才能在软件保护无效时，通过TVS保护母线电容。

2023-03-23 标签：二极管 TVS SiC 1381 0

利用C2000实时MCU提高GaN数字电源设计实用性

与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换...

2023-03-20 标签：电源转换器晶体管 812 0

AMB陶瓷基板在IGBT中应用的优势

AMB（活性金属钎焊）工艺技术是DBC（直接覆铜）工艺技术的进一步发展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金属焊料实现铜箔与陶瓷基片间的焊接。

2023-03-17 标签：逆变器 IGBT 功率器件 3360 0

对Si3N4-AMB覆铜基板较为关心的三大方面

随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 标签：PVD SiC 功率模块 2771 0

隔离比较器在电机系统中的应用

电机在工业领域具有广泛的应用，而电机驱动系统的趋势是高效率，高功率密度和高可靠性。功率半导体供应商不断在导通损耗和开关速度上实现突破，推出更高的电流等级...

2023-03-16 标签：驱动器半导体电机 589 0

特斯拉如何减少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投资者大会上，特斯拉表示下一代汽车平台的动力总成中将减少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 标签：微控制器电动汽车 SiC 1517 0

意法半导体SiC MOSFET的路线图

显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。

2023-03-14 标签：MOSFET 特斯拉 SiC 2134 0

使用HRPWM的注意事项

随着新能源领域的发展, 在数字电源控制系统中要求功率密度高且转换效率高。其中,整机功率密度的提升，就需要提高开关频率, 大部分现有产品的开关频率在50k...

2023-03-14 标签：电源 SiC GaN 1842 0

沟槽就是战壕：英飞凌碳化硅CoolSiC™

战争在战壕中决出胜负，而沟槽就是我们的前线战壕。也就是说，前线奋战人员凭借他们的集体合作和努力决定最终的胜利。作为电源管理应用的设计工程师，本文的读者就...

2023-03-13 标签：英飞凌二极管 MOSFET 9305 0

SiC器件不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理和应用领域

SiC 晶体中不同类型的位错通常是根据腐蚀坑的形貌和尺寸来完成定量分析的。如图 7（a）所示，大六边形没有底部的腐蚀坑代表 MP，中六边形有底部的腐蚀...

2023-03-10 标签：SiC 碳化硅 4764 0

为什么选择SiC作为下一个双向板载充电器设计呢？

硅（Si）基电力电子器件长期以来一直主导着电力电子行业，因为它们的技术成熟度和相对容易获得。

2023-03-07 标签：MOSFET 驱动器充电器 785 0

二极管的特性及损耗分析

本文用于记录二极管特性及损耗分析。

2023-03-08 标签：二极管 SiC 损耗 9521 0

探讨正电压浪涌的对策和其效果

下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一...

2023-02-28 标签：MOSFET SiC 功率元器件 225 0

针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策

只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级以上，因此不会立即流过过大的直通电流。所以即使流过了直通电流，也具有足够的冷却能...

2023-02-28 标签：二极管 MOSFET SiC 251 0

低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作

下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比，只是...

2023-02-28 标签：MOSFET 等效电路 SiC 389 0

低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事...

2023-02-28 标签：MOSFET SiC 电动势 487 0

桥式电路的开关产生的电流和电压

下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和L...

2023-02-27 标签：MOSFET SiC 1009 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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